[發明專利]一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝在審
| 申請號： | 202110358134.0 | 申請日： | 2021-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN113088205A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 范國強;劉艷濤;李宏強 | 申請（專利權）人： | 固德威電源科技（廣德）有限公司 |
| 主分類號： | C09J7/10 | 分類號： | C09J7/10;C09J7/30;C09J183/04;C09J11/04 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 張恩慧 |
| 地址： | 242200 安徽省宣*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導熱 硅膠 絕緣 制作 工藝 | ||
1.一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述制造工藝包括以下步驟：
S1：將制作所需絕緣片的多組份膠體進行均勻攪拌得到混合膠體；
S2：將纏繞膜貼附在治具面上；
S3：將步驟S1所述混合膠體倒入治具中；
S4：對治具中膠水進行刮平；
S5：將刮平膠水后的治具中放入高溫烘箱進行烘烤固化形成絕緣片；
S6：將烘烤絕緣片與治具進行分離。
2.根據權利要求1所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述步驟S1攪拌采用等比例逐步加料，先按照配比先添加50％的物料攪拌充分后，在依次添加10％的物料進行充分攪拌直至全部添加完成后繼續攪拌10分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述步驟S5烘烤固化采用階梯性的升溫的方式進行。
4.根據權利要求2所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述步驟S4中膠水進行刮平后厚度為2mm，步驟S5烘烤固化的溫度依次為45℃烘烤5min后升溫至50℃烘烤5min，最后升溫至60℃進行烘烤20min。
5.根據權利要求1所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述步驟S2中纏繞膜厚度為0.02mm。
6.根據權利要求2所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述步驟S1進攪拌使添加有下列添加物料：導熱填料、石墨粉。
7.根據權利要求6所述的一種高導熱硅膠絕緣片制作工藝，其特征在于，所述導熱填料可以為銅粉或銀粉。
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