[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110358110.5 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN113113458A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 楊大偉;金元仲;張明福 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:非顯示區;
所述非顯示區包括襯底、設置在所述襯底一側的第一絕緣層和設置在所述第一絕緣層遠離所述襯底一側的第二絕緣層;
所述第二絕緣層覆蓋部分所述第一絕緣層,所述第一絕緣層未被所述第二絕緣層覆蓋的部分設置有多個并排排列的金屬塊,相鄰所述金屬塊之間的區域為凹槽區,每一所述金屬塊至少延伸至所述第二絕緣層與所述金屬塊相鄰的邊界處;
所述凹槽區鄰近所述第二絕緣層的部分的寬度大于所述凹槽區其他部分的寬度,和/或,所述第二絕緣層包括與所述凹槽區相鄰的臺階部,所述臺階部的遠離所述襯底的表面與所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面的距離小于所述第二絕緣層除所述臺階部之外的部分遠離所述襯底的表面與所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面的距離。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述臺階部在所述襯底上的垂直投影至少部分位于所述凹槽區內。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述臺階部在所述第一絕緣層的垂直投影的鄰近所述凹槽區的邊界為弧形;
所述弧形沿所述第二絕緣層指向所述凹槽區的方向外凸。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,沿所述第二絕緣層指向所述凹槽區的方向,所述臺階部的尺寸為5μm~10μm。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述臺階部的沿所述凹槽區的寬度方向的尺寸大于所述凹槽區的寬度。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二絕緣層包括減薄區,所述減薄區在所述第一絕緣層的垂直投影被所述第二絕緣層除所述減薄區之外的部分在所述第一絕緣層的垂直投影半環繞,所述減薄區的所述第二絕緣層為所述臺階部。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二絕緣層鄰近所述凹槽區的部分具有至少兩個臺階部,沿所述第二絕緣層指向所述凹槽區的方向,所述至少兩個臺階部的遠離所述襯底的表面與所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面的距離逐漸減小。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽區鄰近所述第二絕緣層的部分的寬度為所述凹槽區其他部分的寬度的1.1-1.2倍。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
顯示區;
所述顯示區包括依次層疊設置的襯底、第一金屬層、第三絕緣層、第二金屬層、第四絕緣層、第三金屬層、第五絕緣層和電極層;
所述第一絕緣層與所述第四絕緣層同層設置,所述第二絕緣層與所述第五絕緣層同層設置,所述金屬塊與所述第三金屬層同層設置。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-9任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





