[發(fā)明專利]一種新型的PIN管微觀結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110357101.4 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN113130664B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王志宇;黃威文;陳偉 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01L29/868 | 分類號: | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 趙志鵬 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 pin 微觀 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種PIN管微觀結(jié)構(gòu),其特征在于,包括Metal 1層、Metal 2層、陽極引出層AC、陰極引出層CC和PIN管;陽極引出層AC、陰極引出層CC設(shè)置在PIN管的兩極上,且Metal 1層在陽極引出層AC、陰極引出層CC上方,Metal 2層在Metal 1層上方;其中,Metal 1層與陽極引出層AC或陰極引出層CC之間設(shè)置過孔Via 1,Metal 1層與Metal 2層之間設(shè)置過孔Via2;
PIN管設(shè)置在襯底上;其中,PIN管包括P層、I層、N層,P層、I層、N層依次設(shè)置在襯底上,且N層覆蓋的面積大于I層覆蓋的面積,I層覆蓋的面積大于P層覆蓋的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PIN管微觀結(jié)構(gòu),其特征在于:陰極引出層CC與靠近陽極引出層AC的兩者的橫向最近距離為1 .5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PIN管微觀結(jié)構(gòu),其特征在于:P層整體為長條狀,其拐角采用半圓弧狀;N層整體呈“ 凹”字形,其拐角采用1/4圓弧狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PIN管微觀結(jié)構(gòu),其特征在于:襯底上不同器件之間采用IS層進(jìn)行隔離,IS層采用在襯底相應(yīng)位置注入硼離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PIN管微觀結(jié)構(gòu),其特征在于:過孔Via 1、過孔Via2、Metal 1層、Metal 2層的拐角處采用半圓弧狀或圓弧狀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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