[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110357043.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113555421A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱熙甯;江國(guó)誠(chéng);王志豪;程冠倫;陳冠霖
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/423
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一第一全繞式柵極場(chǎng)效晶體管，位于一基板上且包含：

至少一硅板；

一第一柵極結(jié)構(gòu)，包括一第一柵極介電層與一第一柵極并圍繞該至少一硅板的每一中間部分；

一第一源極區(qū)，位于該至少一硅板的第一末端上；以及

一第一漏極區(qū)，位于該至少一硅板的第二末端上；以及

一第二全繞式柵極場(chǎng)效晶體管，位于該基板上并與該第一全繞式柵極場(chǎng)效晶體管橫向分開(kāi)，且包含：

至少一硅鍺板；

一第二柵極結(jié)構(gòu)，包括一第二柵極介電層與一第二柵極并圍繞該至少一硅鍺板的每一中間部分；

一第二源極區(qū)，位于該至少一硅鍺板的第一末端上；以及

一第二漏極區(qū)，位于該至少一硅鍺板的第二末端上，

其中該第一柵極與該第二柵極包括相同的導(dǎo)電材料。