[發(fā)明專利]一種二維電容層析成像的圖像重建方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110356534.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113012253A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李明禹;王莉莉;陳德運(yùn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06T11/00 | 分類號(hào): | G06T11/00 |
| 代理公司: | 北京國(guó)坤專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 馬雯 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 二維 電容 層析 成像 圖像 重建 方法 | ||
本發(fā)明屬于過(guò)程性層析成像領(lǐng)域,尤其是一種二維電容層析成像的圖像重建方法,針對(duì)現(xiàn)有的ECT技術(shù)當(dāng)前仍然存在很多難點(diǎn),比如ECT系統(tǒng)的非線性和逆問(wèn)題求解,體現(xiàn)在圖像重建上就是其成像精度不高、與原流型不符的問(wèn)題,現(xiàn)提出如下方案,其包括以下步驟:S1、通過(guò)電容傳感器陣列得到測(cè)量數(shù)據(jù);S2、對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理;S3、確定截?cái)嘀担籗4、對(duì)構(gòu)造出來(lái)的Hankel矩陣進(jìn)行奇異值分解;S5、對(duì)構(gòu)造出來(lái)的矩陣進(jìn)行反對(duì)角線取平均值,S6、得到去噪后的矩陣;S7、引入EIV模型;S8、得到重建圖像。本發(fā)明的有益效果是:可以最大程度的保留數(shù)據(jù)的特征,提高算法的重建精度,并且去除多余噪聲,使得算法更加接近真實(shí)值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及過(guò)程性層析成像技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種二維電容層析成像的圖像重建方法。
背景技術(shù)
電容層析成像技術(shù)作為一種極具開發(fā)潛力的兩相流檢測(cè)技術(shù),從20世紀(jì)80年代開始即成為國(guó)內(nèi)外科研人員的研究熱點(diǎn),目前已經(jīng)積累了相當(dāng)多的研究經(jīng)驗(yàn),ECT技術(shù)是屬于過(guò)程性層析成像技術(shù)的一種,正是以其非侵入、低成本、實(shí)時(shí)性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在兩相流參數(shù)檢測(cè)中應(yīng)用廣泛。
但是ECT技術(shù)當(dāng)前仍然存在很多難點(diǎn),比如ECT系統(tǒng)的非線性和逆問(wèn)題求解,體現(xiàn)在圖像重建上就是其成像精度不高、與原流型不符,因此如何降低非線性的影響,是目前亟待解決的技術(shù)難題,所以我們提出一種二維電容層析成像的圖像重建方法,用以解決上述所提到的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn),而提出的一種二維電容層析成像的圖像重建方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種二維電容層析成像的圖像重建方法,包括以下步驟:
S1、通過(guò)電容傳感器陣列得到測(cè)量數(shù)據(jù);
S2、對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理;
S3、確定截?cái)嘀担?/p>
S4、對(duì)構(gòu)造出來(lái)的Hankel矩陣進(jìn)行奇異值分解;
S5、對(duì)構(gòu)造出來(lái)的矩陣進(jìn)行反對(duì)角線取平均值,
S6、得到去噪后的矩陣;
S7、引入EIV模型;
S8、得到重建圖像。
優(yōu)選地,所述步驟S3中可以利用ROC曲線確定最佳截?cái)嘀怠?/p>
優(yōu)選地,所述步驟S4中可以重新構(gòu)造出一維信號(hào)。
優(yōu)選地,所述步驟S4中奇異值分解的具體方法為,在系數(shù)矩陣中截?cái)噍^小的奇異值之后,通過(guò)剩余較大的奇異值和相應(yīng)的特征向量進(jìn)行參數(shù)重建。
優(yōu)選地,所述步驟S7中的EIV模型不僅考慮到了觀測(cè)數(shù)據(jù)的誤差,而且還考慮到了系數(shù)矩陣的誤差,使用這個(gè)模型有望能夠使得算法更加接近真實(shí)值。
優(yōu)選地,所述步驟S4中使用總體最小二乘法,總體最小二乘法是普通最小二乘法結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)。
普通最小二乘法的模型為:C=SG+Δ
其中C為n*1維觀測(cè)向量,S為n*m維系數(shù)矩陣,G為m*1維未知向量,Δ為n*1維的觀測(cè)向量誤差。
普通最小二乘法只考慮到了觀測(cè)數(shù)據(jù)的誤差,并未考慮系數(shù)矩陣存在的誤差,而總體最小二乘法能夠同時(shí)兼顧自變量和因變量方向上的誤差,從而使其達(dá)到整體最優(yōu)解。
引入總體最小二乘平差函數(shù)模型:(C+Δc)=(S+Δs)G
其中Δc、Δs分別是觀測(cè)向量的隨機(jī)誤差和系數(shù)矩陣的隨機(jī)誤差,其隨機(jī)模型為:
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