[發(fā)明專利]氮化硼模板及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110356419.0
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113089091A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張紀(jì)才;譚庶欣
• 申請（專利權(quán)）人: 北京化工大學(xué)
• 主分類號: C30B25/18
• 分類號: C30B25/18;C30B29/40;C23C16/02;C23C16/34;H01L33/00;H01L33/32
• 代理公司: 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 趙世發(fā)

1.一種氮化硼模板的制備方法，其特征在于包括：先于異質(zhì)襯底上生長形成氮化硼緩沖層，之后在所述氮化硼緩沖層上生長六方氮化硼層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于還包括：將異質(zhì)襯底置入反應(yīng)腔室，并向反應(yīng)腔室內(nèi)注入氮?dú)夂?或氫氣，將反應(yīng)腔室升溫至1200-1500℃后，再通入氫氣清洗異質(zhì)襯底，清洗時(shí)間為5-20min，之后在異質(zhì)襯底上依次生長氮化硼緩沖層、六方氮化硼層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于具體包括：將異質(zhì)襯底置入反應(yīng)腔室，并控制反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度為1200-1500℃、壓力為10-300Torr，且向所述反應(yīng)腔室內(nèi)同時(shí)通入氮源和硼源，使氮源的流量為10-5000sccm，硼源的流量為0.05-10sccm，從而生長形成氮化硼緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制備方法，其特征在于具體包括：在異質(zhì)襯底上生長形成氮化硼緩沖層之后，調(diào)整反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度為1350-1600℃、壓力為10-100Torr，并繼續(xù)向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入氮源和硼源，使氮源的流量為10-1000sccm，硼源的流量為0.05-50sccm，從而在氮化硼緩沖層上生長形成六方氮化硼層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于還包括：控制所述六方氮化硼層的生長速度為0.1-20μm/h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于還包括：采用CVD或者HVPE法生長形成所述氮化硼緩沖層、六方氮化硼層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氮化硼緩沖層的厚度為200nm-1μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述六方氮化硼層的厚度為1-10μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述異質(zhì)襯底包括藍(lán)寶石或者SiC襯底。

10.由權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的制備方法制備的氮化硼模板。