[發明專利]包括標準單元的集成電路

在審

• 申請號: 202110356220.8
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN113497031A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 柳志秀;徐在禹;白尚訓;俞炫圭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

提供了一種包括多個標準單元的集成電路。該集成電路包括：第一標準單元組，包括至少兩個第一標準單元；第二標準單元組，在第一方向上與第一標準單元組相鄰，第二標準單元組包括至少一個第二標準單元；以及第一絕緣柵極，與第一標準單元中的至少一個的一側和所述至少一個第二標準單元的一側鄰接，其中第一標準單元和第二標準單元中的每個包括集成的p型晶體管(pFET)和n型晶體管(nFET)，其中第一標準單元和第二標準單元中的每個具有不同設計的第一布設線，以及其中第一標準單元和第二標準單元中的每個根據對應的設計而具有有源區的相同或不同的布局。

技術領域

本公開涉及包括標準單元的集成電路。

背景技術

隨著電子工業變得更加高度發展，對半導體器件中包括的集成電路的特性的需求增長。例如，對半導體器件的高可靠性、高速度和/或多功能等的需求增長。為了滿足這些需要的特性，集成電路中的結構正變得越來越復雜和高度集成。

集成電路可以基于標準單元被設計。具體地，可以通過根據定義集成電路的數據設置標準單元并對所設置的標準單元進行布線來產生集成電路的版圖(layout)。這樣的標準單元被預先設計并被存儲在單元庫中。

發明內容

本公開的方面提供了其中金屬軌道設計針對每個標準單元而變化但是標準單元版圖的一致性得到保持的集成電路。

本發明的一個方面提供了一種包括多個標準單元的集成電路，該集成電路包括：第一標準單元組，包括至少兩個第一標準單元；第二標準單元組，在第一方向上與第一標準單元組相鄰，第二標準單元組包括至少一個第二標準單元；以及第一絕緣柵極，與第一標準單元中的至少一個的一側和所述至少一個第二標準單元的一側鄰接，其中所述至少兩個第一標準單元和所述至少一個第二標準單元中的每個包括集成的p型晶體管(pFET)和n型晶體管(nFET)，其中所述至少兩個第一標準單元和所述至少一個第二標準單元中的每個具有不同設計的第一布設線，以及其中所述至少兩個第一標準單元和所述至少一個第二標準單元中的每個根據對應的設計而具有有源區的相同或不同的布局。

本發明的另一方面提供了一種集成電路，該集成電路包括：至少一個第一標準單元；第二標準單元，在第一方向上與所述至少一個第一標準單元的一側相鄰；以及第一布設線，設置在所述至少一個第一標準單元或第二標準單元上，其中所述至少一個第一標準單元和第二標準單元中的每個具有根據不同的金屬軌道設計而設置的第一布設線，其中所述至少一個第一標準單元和第二標準單元中的每個包括：至少一個第一有源區，所述至少一個第一有源區在第一方向上延伸并且p型晶體管設置在所述至少一個第一有源區上；至少一個第二有源區，所述至少一個第二有源區在第一方向上延伸并且n型晶體管設置在所述至少一個第二有源區上；有源區分隔層，在第一方向上延伸并設置在第一有源區和第二有源區之間；絕緣柵極和至少一個柵極堆疊，在第二方向上延伸并與第一有源區、第二有源區和有源區分隔層交叉；以及至少兩個源極/漏極接觸，在第二方向上延伸并設置于在第一方向上彼此相鄰的柵極堆疊之間，其中金屬軌道設計包括多個金屬軌道，第一布設線可以以標準單元為基礎設置在所述多個金屬軌道上，以及其中第一布設線通過通路連接到柵極堆疊或源極/漏極接觸。

本發明的另一方面提供了一種集成電路，該集成電路包括：第一標準單元組；第二標準單元組，鄰接第一標準單元組的第一側；以及第三標準單元組，在第一方向上鄰接第一標準單元組的第二側和第二標準單元組的第一側；以及第一金屬布設層，設置在第一標準單元組至第三標準單元組上，其中第一標準單元組至第三標準單元組中的每個包括有源區、源極/漏極接觸、柵極接觸和絕緣柵極，其中第一金屬布設層包括通過通路連接到源極/漏極接觸或柵極接觸的至少一條第一布設線、至少一條電力布設線、以及填充在第一布設線和電力布設線之間的層間絕緣層，以及其中第一標準單元組、第二標準單元組和第三標準單元組中的每個包括不設置在與鄰接任一側的相鄰標準單元上的第一布設線相同的在所述第一方向上的延伸線上的至少一條第一布設線。