[發明專利]離子源、等離子體室以及調整等離子體的體積的方法

在審

• 申請號: 202110355098.2
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN113097048A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 具本雄;黃容奭;鄭經宰
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/08;H01J27/16
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種設備，其特征在于，包括：

室，具有第一端壁與第二端壁；

射頻天線，鄰近所述室，所述射頻天線被配置成向所述室提供射頻能量；以及

端板，設置在所述室內，所述端板在第一位置與第二位置之間被致動，以調整所述室的體積，所述端板包括：

第一區段，設置在所述室內，所述第一區段延伸到所述室的側壁；以及

第二區段，耦合到所述第一區段，所述第二區段延伸出所述室外。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括耦合到所述端板的電壓源。

3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述端板包括用于將氣體遞送到所述室中的一組內部流體通道。

4.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括穿過所述室的第一端壁形成的出口開孔，所述出口開孔沿所述室的縱向軸線設置。

5.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括真空饋通件，所述真空饋通件將所述端板的所述第二區段耦合到所述室的第二端壁。

6.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述室的所述側壁包括射頻窗口，其中所述射頻天線鄰近所述射頻窗口設置。

7.一種產生等離子體的等離子體室，其特征在于，所述等離子體室包括：

殼體，包括用于從所述等離子體室遞送離子束的出口開孔；

射頻天線，鄰近所述等離子體，所述射頻天線能夠相對于所述殼體致動；以及

端板，設置在所述等離子體室內，所述端板能夠致動，以調整在所述等離子體室內的所述等離子體的體積，所述端板包括：

第一區段，設置在所述等離子體室內，所述第一區段延伸到所述等離子體室的側壁；以及

第二區段，耦合到所述第一區段，所述第二區段延伸出所述等離子體室外。

8.根據權利要求7所述的等離子體室，其特征在于，所述端板電耦合到電壓源。

9.根據權利要求7所述的等離子體室，其特征在于，所述射頻天線沿所述等離子體室的所述殼體的側壁的外表面設置。

10.根據權利要求7所述的等離子體室，其特征在于，所述射頻天線設置在所述端板內。

11.根據權利要求7所述的等離子體室，其特征在于，所述端板包括用于將氣體引入到所述等離子體室的一組流體通道。

12.一種調整等離子體室內的等離子體的體積的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供在等離子體室內的等離子體，所述等離子體室包括第一端壁與第二端壁；

將射頻天線鄰近所述等離子體定位，所述射頻天線能夠在所述第一端壁與所述第二端壁之間致動；以及

在所述等離子體室內提供端板，所述端板能夠在第一位置與第二位置之間致動，以調整所述等離子體的體積，所述端板包括：

第一區段，設置在所述等離子體室內，所述第一區段延伸到所述等離子體室的側壁；以及

第二區段，耦合到所述第一區段，所述第二區段延伸出所述等離子體室外。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括：對所述端板施加電壓。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括：將所述端板及所述射頻天線朝所述第二端壁致動，以增大所述等離子體的密度，所述第二端壁包括用于從所述等離子體室遞送離子束的出口開孔。