[發明專利]一種氣體傳感器及其制作方法在審
| 申請號: | 202110354503.9 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN112946037A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 趙珉;劉桂英;劉如軍 | 申請(專利權)人: | 嶺南師范學院 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 劉瑤云;陳偉斌 |
| 地址: | 524048 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氣體 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種氣體傳感器,其特征在于:包括基板(1)、石墨烯層(2)、金屬電極對、金屬氧化物層(4);所述基板(1)、所述石墨烯層(2)和所述金屬電極對由下至上依次設置;一個所述金屬電極對包括兩個金屬電極(3),一個所述金屬電極對的兩個金屬電極(3)之間的區域為溝道;
在所述溝道處的石墨烯層(2)設有間隙槽(5),使位于所述溝道處的所述石墨烯層(2)斷開,形成石墨烯電極對;所述金屬氧化物層(4)位于所述溝道處,且覆蓋在所述石墨烯電極對以及所述間隙槽(5)上,以連接所述石墨烯電極對;所述金屬氧化物層(4)的面積小于所述溝道的面積,以使所述溝道內具有未被所述金屬氧化物層(4)覆蓋而裸露的所述石墨烯層(2)。
2.根據權利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于:所述基板(1)包括硅襯底(101)和二氧化硅層(102);所述二氧化硅層(102)設于所述硅襯底(101)上,所述石墨烯層(2)設于所述二氧化硅層(102)的上方。
3.根據權利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于:所述石墨烯電極對為石墨烯叉指電極對;一個所述石墨烯叉指電極對包括兩個梳狀的、相互交錯的石墨烯叉指電極。
4.根據權利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于:所述金屬氧化物層(4)包括為鈦或銅的自然氧化物層。
5.根據權利要求2所述的氣體傳感器,其特征在于:還包括底電極(7);所述二氧化硅層(102)局部鏤空,所述二氧化硅層(102)的鏤空區域內設有與硅襯底(101)接觸的金屬電極(3),形成所述底電極(7)。
6.根據權利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于:所述金屬電極(3)的橫截面形狀為矩形;所述金屬電極對接近所述基板(1)的一側為鉻層(302),遠離所述基板(1)的一側為金層(301)。
7.根據權利要求6所述的氣體傳感器,其特征在于:所述鉻層(302)的厚度為3~8nm,所述金層(301)的厚度為6~10nm;所述溝道的寬度,即一個所述金屬電極對中的兩個金屬電極(3)的間距為1.5~2mm。
8.根據權利要求7所述的氣體傳感器,其特征在于:所述鉻層(302)的厚度為8nm,所述金層(301)的厚度為8nm。
9.一種氣體傳感器的制作方法,制作材料包括基板(1),其特征在于包括如下步驟:
步驟S1、在所述基板(1)的上表面制備石墨烯層(2);
步驟S2、在所述石墨烯層(2)上制作金屬電極對,一個所述金屬電極對的兩個金屬電極(3)之間的區域為溝道;
步驟S3、將所述溝道處的所述石墨烯層(2)制作成石墨烯電極對;
步驟S4、在所述溝道內沉積金屬材料,使金屬材料覆蓋在石墨烯電極對上以連接石墨烯電極對,且沉積的金屬材料覆蓋的面積小于溝道的面積,使溝道內具有未被金屬材料覆蓋而裸露的石墨烯層(2);所述金屬材料氧化后得到金屬氧化物層(4),形成石墨烯-金屬氧化物異質結;得到氣體傳感器。
10.根據權利要求9所述的氣體傳感器的制作方法,其特征在于:所述基板(1)包括硅襯底(101)和位于所述硅襯底(101)上方的二氧化硅層(102),在步驟S1中,制備石墨烯層(2)前,在所述基板(1)上制作光刻用金屬對準標記;通過刻蝕工藝去除所述基板(1)表面局部區域的二氧化硅層(102),且在刻蝕掉的區域沉積金屬,制成底電極(7);清潔帶有所述底電極(7)的所述基板(1)表面。
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