[發(fā)明專利]復(fù)合材料及其制備方法、以及可穿戴設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110353403.4
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113088920B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮宗東;衣曉良
• 申請（專利權(quán)）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/06;G02B27/01
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種復(fù)合材料，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的金屬基材層、連接導(dǎo)熱層以及無機(jī)導(dǎo)熱層，其中，所述無機(jī)導(dǎo)熱層的材質(zhì)密度小于所述金屬基材層的材質(zhì)密度；

所述無機(jī)導(dǎo)熱層為金剛石層，所述連接導(dǎo)熱層為鉬層，所述金屬基材層為銅層；所述鉬層的厚度為50～100μm，所述金剛石層的厚度為200～500μm；

其中，所述金剛石層由熱絲化學(xué)氣相沉積法制得，所述熱絲化學(xué)氣相沉積法的工藝參數(shù)設(shè)置為：甲烷通氣量20～40ml/min，氫氣通氣量0.8～1.21/min，甲烷含量保證在2％～5％之間，壓強(qiáng)保證在3000～5000Pa，鉭絲絲距控制在8～12mm，功率控制在20～23KW；

所述鉬層由磁控濺射物理氣相沉積法制得，所述磁控濺射物理氣相沉積法的工藝參數(shù)設(shè)置為：極限真空度4×10^-4Pa，沉積室的氣壓0.1～0.8Pa，氣體使用高純氬氣，氬氣流量20～40cm³/min，濺射功率控制為80～100W，偏壓-80至-120V。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述鉬層的厚度為100μm。

3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述金剛石層為金剛石沉積層。

4.一種復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在金屬基材層的一側(cè)上設(shè)置連接導(dǎo)熱層；

在所述連接導(dǎo)熱層背離所述金屬基材層的一側(cè)設(shè)置無機(jī)導(dǎo)熱層。

5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述金屬基材層為銅層，所述無機(jī)導(dǎo)熱層為金剛石層，所述連接導(dǎo)熱層為鉬層；

所述在金屬基材層的一側(cè)上設(shè)置連接導(dǎo)熱層的步驟包括：

采用物理氣相沉積法在銅層的一側(cè)形成鉬層。

6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述在所述連接導(dǎo)熱層背離所述金屬基材層的一側(cè)設(shè)置無機(jī)導(dǎo)熱層的步驟包括：

采用熱絲化學(xué)氣相沉積法在所述鉬層背離所述銅層的一側(cè)形成金剛石層。

7.一種可穿戴設(shè)備，其特征在于，包括散熱層，所述散熱層的材質(zhì)包括如權(quán)利要求1至3任意一項所述的復(fù)合材料。

8.如權(quán)利要求7所述的可穿戴設(shè)備，其特征在于，所述可穿戴設(shè)備為AR眼鏡。

9.如權(quán)利要求8所述的可穿戴設(shè)備，其特征在于，所述AR眼鏡包括：

處理器；

所述散熱層，所述散熱層設(shè)置在所述處理器的表面，且所述散熱層中的金屬基材層靠近所述處理器的表面設(shè)置；以及，

導(dǎo)熱填充層，填充所述金屬基材層與所述處理器的表面之間的空隙設(shè)置。