[發(fā)明專利]一種存儲卡控制電路、存儲卡控制方法及存儲介質

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• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN112992237A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 林宏典;胡勝發(fā)
• 申請（專利權）人: 廣州安凱微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20;G11C16/30;G11C16/34
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

1.一種存儲卡控制電路，其特征在于，包括卡電源開關電路和卡槽連接電路；

所述卡電源開關電路包括存儲卡電源、設備電源、第一磁珠、MOS管開關電路；

所述存儲卡電源的電源輸出端分別與所述第一磁珠的一端、所述MOS管開關電路的漏極連接，所述設備電源的電源輸出端分別與所述第一磁珠的另一端、所述MOS管開關電路的源極連接，所述MOS管開關電路的柵極與設備內控制芯片的通用輸入輸出接口GPIO連接；

所述卡槽連接電路包括存儲卡卡槽、若干個上拉電阻、第二磁珠；

所述存儲卡卡槽的電源接口VDD與所述存儲卡電源的電源輸出端連接，所述存儲卡卡槽的數據接口SDD0、數據接口SDD1、數據接口SDD2、數據接口SDD3、命令接口SDCMD、時鐘接口SDCLK分別通過一所述上拉電阻與所述存儲卡電源的電源輸出端連接，所述存儲卡卡槽的卡檢測接口CD通過一所述上拉電阻與所述設備電源或所述存儲卡電源的電源輸出端連接，所述存儲卡卡槽的接地接口GND通過所述第二磁珠接地，所述存儲卡卡槽的公共連接接口VSS接地。

2.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，在所述存儲卡卡槽的卡檢測接口CD通過一所述上拉電阻與所述存儲卡電源的電源輸出端連接時，所述存儲卡卡槽的卡檢測接口CD還與所述控制芯片的通用輸入輸出接口GPIO連接，且所述控制芯片被設置為芯片內部上拉。

3.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述MOS管開關電路包括MOS管、第一電阻、第二電阻和第一電容；

所述MOS管的源極通過所述第一電阻分別與所述第二電阻、所述第一電容的一端連接，所述MOS管的柵極分別與所述第二電阻、所述第一電容的一端連接，所述第二電阻的另一端與所述控制芯片的通用輸入輸出接口GPIO連接，所述第一電容的另一端接地。

4.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述卡槽連接電路還包括由第三電阻、第二電容、第三電容組成的濾波器；

所述存儲卡電源的電源輸出端分別與所述第三電阻、所述第二電容、所述第三電容的一端連接，所述第三電阻、所述第二電容、所述第三電容的另一端接地。

5.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述卡槽連接電路還包括若干個雙向TVS管；

所述存儲卡卡槽的數據接口SDD0、數據接口SDD1、數據接口SDD2、數據接口SDD3、命令接口SDCMD、時鐘接口SDCLK、卡檢測接口CD分別通過一所述雙向TVS管接地。

6.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述卡槽連接電路還包括第四電容；

所述存儲卡卡槽的時鐘接口SDCLK通過所述第四電容接地。

7.如權利要求1所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述卡槽連接電路還包括若干個第四電阻；

所述存儲卡卡槽的數據接口SDD0、數據接口SDD1、數據接口SDD2、數據接口SDD3、命令接口SDCMD、時鐘接口SDCLK、卡檢測接口CD分別通過一所述第四電阻與所述存儲卡的對應接口連接。

8.如權利要求3所述的存儲卡控制電路，其特征在于，所述MOS管為PMOS管。

9.一種應用如權利要求1～8任一項所述的存儲卡控制電路的存儲卡控制方法，其特征在于，包括：

檢測存儲卡當前的插拔狀態(tài)，并在所述當前的插拔狀態(tài)與上一次檢測的插拔狀態(tài)不同時，判斷所述當前的插拔狀態(tài)是插卡狀態(tài)還是拔卡狀態(tài)；

若是插卡狀態(tài)，則通過所述存儲卡控制電路使能所述存儲卡電源，若是拔卡狀態(tài)，則通過所述存儲卡控制電路禁止所述存儲卡電源。

10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質包括存儲的計算機程序，其中，在所述計算機程序運行時控制所述計算機可讀存儲介質所在設備執(zhí)行如權利要求9所述的存儲卡控制方法。