[發明專利]具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202110352953.4 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113121361A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 馬曉宇;汪康;張雪;陳振生;賈宇;韓文坤;徐佳楠 | 申請（專利權）人： | 吉林奧來德光電材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C07C211/54 | 分類號： | C07C211/54;C07C211/58;C07C211/61;C07D307/91;C07D209/86;C07D333/76;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黃燕 |
| 地址： | 130000 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 菲類雙芳胺 結構 空穴 傳輸 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料，其特征在于，其化學結構式如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示：
其中，a選自0、1、2、3或4；b選自0、1或2；c選自0、1、2或3；
R1、R2和R3位于所在苯環的任意可以被取代基取代的位置；R1、R2和R3各自獨立地選自以下基團中的任意一種：氫、氘、經取代或未經取代的C1-C30烷基、經取代或未經取代的C6-C30芳基、經取代或未經取代的3元到30元雜芳基；
Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自獨立地選自以下基團中的任意一種：經取代或未經取代的C6-C30芳基、經取代或未經取代的3元到30元雜芳基、經取代或未經取代的C10-C30稠環基、經取代或未經取代的C5-C30螺環基、或Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自獨立的與相鄰取代基連接形成單環或多環；
L1、L2、L3和L4各自獨立地選自以下基團中的任意一種：連接鍵、經取代或未經取代的C6-C30芳基、經取代或未經取代的3元到30元雜芳基、經取代或未經取代的C10-C30稠環基、經取代或未經取代的C5-C30螺環基、或L1、L2、L3和L4各自獨立的與相鄰取代基連接形成單環或多環。
2.根據權利要求1所述的具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料，其特征在于，a、b和c各自獨立地選自0、1或2；
優選地，所述R1、R2、R3各自獨立地選自：氘、甲基、乙基、丙基、異丙基、叔丁基、烷氧基、芳氧基、苯基、甲基苯、叔丁基苯基、聯苯基、萘基、菲基、二甲基芴基、二苯基芴基、三聯苯基；
優選地，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、L1、L2、L3和L4各自獨立地選自以下基團中的任意一種，并且所示基團的任意位置可以被取代基取代；
3.根據權利要求1所述的具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料，其特征在于，所述通式Ⅰ或通式Ⅱ中的菲的取代位置進行如下編號：
取代位置為2、3、6、7、9和10位中的至少一處。
4.根據權利要求1所述的具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料，其特征在于，所述具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料選自以下化學式1-93中任一種：
5.一種如權利要求1所述的具有菲類雙芳胺結構的空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于，其包括：
反應物A和反應物B反應生成中間體C；
所述中間體C與反應物D反應生成中間體E；
所述中間體E與反應物F反應生成通式Ⅰ或通式Ⅱ所示的化合物；
其中，所述反應物A的結構式為：
所述反應物B為用于合成通式Ⅰ的反應物B-Ⅰ或用于合成通式Ⅱ的反應物B-Ⅱ，其中，反應物B-Ⅰ的結構式為：反應物B-Ⅱ的結構式為：
所述中間體C為用于合成通式Ⅰ的中間體C-Ⅰ或用于合成通式Ⅱ的中間體C-Ⅱ，其中，中間體C-Ⅰ的結構式為：中間體C-Ⅱ的結構式為：
所述反應物D的結構式為：
所述中間體E為用于合成通式Ⅰ的中間體E-Ⅰ或用于合成通式Ⅱ的中間體E-Ⅱ，其中，中間體E-Ⅰ的結構式為：中間體E-Ⅱ的結構式為：
所述反應物F的結構式為：
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