[發明專利]太陽能電池前驅體、制備方法、太陽能電池及光伏組件有效
| 申請號: | 202110352856.5 | 申請日: | 2021-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN115148835B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發明(設計)人: | 童洪波;張洪超;李華;劉繼宇 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L21/288 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 趙娟 |
| 地址: | 225300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 前驅 制備 方法 組件 | ||
1.一種太陽能電池前驅體,其特征在于,所述太陽能電池前驅體包括:半導體基體和接電點;
所述半導體基體的向光面和/或背光面上具有主柵待鍍區域和細柵待鍍區域,所述主柵待鍍區域與所述細柵待鍍區域相交;
所述接電點位于在所述主柵待鍍區域內。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述半導體基體包括:半導體底板以及覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層;
所述絕緣鈍化層開設有主柵開口和細柵開口,所述細柵開口暴露出所述半導體底板的區域形成所述細柵待鍍區域,所述主柵開口暴露出所述半導體底板的區域形成所述主柵待鍍區域;
或,
所述半導體基體包括:
半導體底板;
絕緣鈍化層,覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上;
細柵種子層,穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接;所述細柵種子層形成所述細柵待鍍區域;
以及主柵種子層,穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接;所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區域;
或,
所述半導體基體包括:
半導體底板;
絕緣鈍化層,覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上;所述絕緣鈍化層開設有細柵開口;所述細柵開口暴露出所述半導體底板的區域形成所述細柵待鍍區域,
以及主柵覆蓋種子層,形成于所述絕緣鈍化層上,且所述主柵覆蓋種子層與所述細柵開口的所述半導體底板電連接;所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區域;
或,
所述半導體基體包括:
半導體底板;
絕緣鈍化層,覆蓋在所述半導體底板的向光面和/或背光面上;
細柵種子層,穿透所述絕緣鈍化層與所述半導體底板電連接;所述細柵種子層形成所述細柵待鍍區域;
以及主柵覆蓋種子層,形成于所述絕緣鈍化層上,且所述主柵覆蓋種子層與所述細柵種子層電連接;所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區域。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述接電點的面積為0.1-10平方毫米。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述接電點的形狀為橢圓形。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述接電點包括:
圓形導電部,設置在所述圓形導電部外側的環形導電部,以及連接所述圓形導電部和所述環形導電部的連接導電部。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述主柵待鍍區域包括多條平行設置的第一條形區域,所述細柵待鍍區域包括多條平行設置的第二條形區域,所述第一條形區域與所述第二條形區域垂直相交。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池前驅體,其特征在于,所述接電點設置在所述第一條形區域靠近所述半導體基體的側邊的端部;
或,
所述接電點設置在所述第一條形區域的中間位置,且與所述半導體基體中相對的兩條側邊的距離相等。
8.一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
提供太陽能電池前驅體,所述太陽能電池前驅體為權利要求1-7任一所述的太陽能電池前驅體;
將所述太陽能電池前驅體的接電點與電鍍設備電連接,對所述太陽能電池前驅體進行電鍍,以在所述太陽能電池前驅體的細柵待鍍區域中形成細柵電極,在所述太陽能電池前驅體的主柵待鍍區域中形成主柵電極,得到太陽能電池。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,所述太陽能電池前驅體通過如下步驟獲得:
提供半導體基體;
在所述半導體基體的主柵待鍍區域內形成所述接電點。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于泰州隆基樂葉光伏科技有限公司,未經泰州隆基樂葉光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110352856.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種定位方法及相關裝置
- 下一篇:消息顯示方法、裝置、終端設備及存儲介質
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





