[發(fā)明專利]用于高壓柵驅(qū)動芯片的高共模瞬態(tài)抑制差分信號接收電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110349766.0
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113098458A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳珍海;寧仁霞;汪禮;何寧業(yè);許媛;鮑婕;呂海江
• 申請（專利權(quán)）人: 黃山學(xué)院
• 主分類號: H03K17/16
• 分類號: H03K17/16;H03K17/567;H03K17/687
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.用于高壓柵驅(qū)動芯片的高共模瞬態(tài)抑制差分信號接收電路，其特征是，包括：輸入接收電路(1)、X級前后級聯(lián)的共模可調(diào)放大電路(2)、高靈敏度共模可調(diào)放大電路(3)、輸出整形電路(4)和共模自適應(yīng)調(diào)整電路(5)；所述輸入接收電路(1)首先接收正端接收信號RXP和負(fù)端接收信號RXN，經(jīng)濾波處理得到正端輸入信號Vip和負(fù)端輸入信號Vin；正端輸入信號Vip和負(fù)端輸入信號Vin進(jìn)入X級前后級聯(lián)的共模可調(diào)放大電路(2)中的第一級共模可調(diào)放大電路，最終得到第X級共模可調(diào)放大電路的正端輸出信號VoXp和負(fù)端輸出信號VoXn；正端輸出信號VoXp和負(fù)端輸出信號VoXn分別連接高靈敏度共模可調(diào)放大電路(3)的正輸入端和負(fù)輸入端，高靈敏度共模可調(diào)放大電路(3)輸出一組差分輸出信號，包括正端輸出信號VoNp和負(fù)端輸出信號VoNn；輸出整形電路(4)根據(jù)正端輸出信號VoNp和負(fù)端輸出信號VoNn的大小，經(jīng)處理得到最終的輸出數(shù)據(jù)Dout；所述共模自適應(yīng)調(diào)整電路(5)根據(jù)電源和地電壓信號的變化，自適應(yīng)產(chǎn)生用于各級放大電路的共模調(diào)整信號C11，C12，C21，C22，…，CX1，CX2，共模自適應(yīng)調(diào)整電路(5)產(chǎn)生的共模調(diào)整信號C11和C12分別連接到第一級共模可調(diào)放大電路的共模調(diào)整信號輸入端；共模調(diào)整信號C21和C22分別連接到第二級共模可調(diào)放大電路的共模調(diào)整信號輸入端；以此類推，共模調(diào)整信號CX1和CX2分別連接到第X級共模可調(diào)放大電路的共模調(diào)整信號輸入端；共模自適應(yīng)調(diào)整電路(5)還產(chǎn)生共模調(diào)整信號CN1和CN2，分別連接到高靈敏度共模可調(diào)放大電路(3)的共模調(diào)整信號輸入端；其中，X為大于1的正整數(shù)，N為大于X的正整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高壓柵驅(qū)動芯片的高共模瞬態(tài)抑制差分信號接收電路，其特征是，所述輸入接收電路(1)包括：正端隔離電容C51、正端接地電阻R51、正端耦合電容C52、正端共模電阻R53、負(fù)端隔離電容C53、負(fù)端接地電阻R52、負(fù)端耦合電容C54、負(fù)端共模電阻R54和接收共模產(chǎn)生電路(101)；所述正端隔離電容C51的左端和負(fù)端隔離電容C53的左端分別連接到正端接收信號RXP和負(fù)端接收信號RXN；正端隔離電容C51的右端連接到正端接地電阻R51的下端和正端耦合電容C52的左端；負(fù)端隔離電容C53的右端連接到負(fù)端接地電阻R52的下端和負(fù)端耦合電容C54的左端；正端耦合電容C52的右端連接到正端共模電阻R53的上端，并作為正端輸入信號Vip的輸出端；負(fù)端耦合電容C54的右端連接到負(fù)端共模電阻R54的下端，并作為負(fù)端輸入信號Vin的輸出端；正端共模電阻R53的下端和負(fù)端共模電阻R54的上端相連，并同時連接到接收共模產(chǎn)生電路(101)的共模輸出端Vicm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于高壓柵驅(qū)動芯片的高共模瞬態(tài)抑制差分信號接收電路，其特征是，所述接收共模產(chǎn)生電路(101)包括：NMOS管M60、NMOS管M61、PMOS管M62、NMOS管M63、PMOS管M610、NMOS管M611、PMOS管M612、NMOS管M613、NMOS管M614、PMOS管M615和電阻R61，以及一個施密特觸發(fā)器(600)；

NMOS管M60的柵極連接到輸入共模電壓Vcm；NMOS管M60的漏極連接到PMOS管M62的漏極和柵極、以及NMOS管M63的柵極；NMOS管M61的柵極連接到輸入共模控制信號Vctrl；NMOS管M61的漏極和NMOS管M63的漏極相連，并連接到所述施密特觸發(fā)器(600)的輸入端；所述施密特觸發(fā)器(600)的輸出端同時連接到PMOS管M610柵極、NMOS管M611柵極、PMOS管M612柵極和NMOS管M613柵極；PMOS管M610的漏極和NMOS管M611的漏極相連，還連接到NMOS管M614的柵極；PMOS管M612的漏極和NMOS管M613的漏極相連，還連接到PMOS管M615的柵極；NMOS管M614的源極和PMOS管M615的源極相連，還作為所述共模輸出端Vicm的輸出端口；NMOS管M614的漏極連接到高輸入共模電平Vcmh，PMOS管M615的漏極連接到低輸入共模電平Vcml；NMOS管M613的源極連接到電阻R61的上端；NMOS管M60源極、NMOS管M61源極、NMOS管M611源極和電阻R61的下端同時連接到地電壓GND；PMOS管M62源極、NMOS管M63源極和PMOS管M610源極同時連接到電源電壓VDD。