[發明專利]一種減少晶體熱應力的處理方法在審
| 申請號： | 202110349141.4 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113073392A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 趙君 |
| 地址： | 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區智谷二街3*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 晶體 應力 處理 方法 | ||
1.一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟1、將碳化硅晶體置于加熱爐中，通入氬氣或氮氣作為保護氣體，控制爐內壓力為0.1-0.2MPa，加熱爐加熱速率為600-750℃/h，加熱到1100-1200℃，保溫10-20h，進行退火處理；
步驟2、停止加熱后，向加熱爐中中充入氖氣，充入氖氣的速度為0.5-2vol％/min，充入時間為20-60min；
步驟3、待加熱爐的溫度冷卻至室溫，然后將碳化硅晶體取出，切割、打磨后得到成品碳化硅晶體。
2.根據權利要求1所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟1中碳化硅晶體的尺寸為6英寸或8英寸。
3.根據權利要求1或2所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟1中退火溫度為1200℃，控制爐內壓力為0.1MPa，加熱爐加熱速率為750℃/h，退火保溫15h。
4.根據權利要求3所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟2中向加熱爐中中充入氖氣，充入氖氣的速度為1vol％/min，充入時間為50min。
5.根據權利要求3所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟2中向加熱爐中中充入氖氣，充入氖氣的速度為1.5vol％/min，充入時間為30min。
6.根據權利要求3所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟2中向加熱爐中中充入氖氣，充入氖氣的速度為2vol％/min，充入時間為20min。
7.根據權利要求3所述的一種減少晶體熱應力的處理方法，其特征在于：步驟2中向加熱爐中中充入氖氣，充入氖氣的速度為0.5vol％/min，充入時間為60min。
8.根據權利要求3所述的一種碳化硅晶體的生長方法，其特征在于：步驟3中加熱爐的冷卻溫度為5-10℃/min。
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