[發明專利]臭氧氧化工藝及臭氧氧化系統

在審

• 申請號: 202110349049.8
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113066904A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 韓培丁
• 申請（專利權）人: 上海鈞乾智造科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/041;H01L21/67
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發明提供了一種臭氧氧化工藝，預先通過所述傳輸單元將待處理基板輸送至所述預熱單元；所述預熱單元將所述基板加熱至50℃?100℃，得到預熱基板；所述傳輸單元將所述預熱基板運送至所述工藝單元，并通過所述工藝單元對所述預熱基板進行氧化處理；所述傳輸單元的傳輸速度為5毫米/秒?40毫米/秒，所述預熱基板在所述預熱單元內的運輸時間為25秒?100秒，以使所述工藝單元內的所述預熱基板的溫度低于90℃。預熱單元和工藝單元單獨工作，從而在預熱單元內當基板到達反應的溫度后，輸送至工藝單元進行氧化反應，反應氣體不會存在由于溫度過高而分解，有效保障了反應氣體的濃度。另外，本發明還公開一種臭氧氧化系統。

技術領域

本發明涉及光伏設備技術領域，尤其涉及一種臭氧氧化工藝及臭氧氧化系統。

背景技術

在高效太陽能電池中，氧化硅層可以作為抗PID(Potential InducedDegradation、電勢誘導衰減)的阻擋層，PERC電池(Passivated Emitter and Rear Cell)的鈍化層及TOPCon電池的隧穿功能層。

常規的氧化硅薄膜制備方法為高溫熱氧化,但是高溫熱氧化過程能耗高，溫度通過1000度,且速度較慢，工藝時間長，高溫環境對于硅片質量存在不利影響，會導致一些低質量的硅片質量惡化，而且多晶硅的少子壽命也容易在高溫下衰減。

另外，公開號為CN109698256A中國專利，公開了一種硅片表面氧化系統和方法，包括臭氧發生器，水槽，循環泵，濃度檢測裝置，氣液混合器和冷卻裝置，所述臭氧發生器與氣液混合器連通，氣液混合器分別與水槽和冷卻裝置連通，硅片設置在水槽中，氣液混合器、水槽和冷卻裝置之間形成臭氧水循環通道，濃度檢測裝置和循環泵設置在臭氧水循環通道中。該方案中，由于臭氧水中臭氧的含量極低，不能有效的形成高質量的氧化硅薄膜。所以為實現高質量的臭氧氧化效果，需要保證硅片表面高濃度臭氧。

因此，有必要提供一種臭氧氧化工藝及臭氧氧化系統以解決現有技術中存在的上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種臭氧氧化工藝及臭氧氧化系統，有效避免了臭氧分解的問題，提高了生產效率。

為實現上述目的，本發明提供的一種臭氧氧化工藝，包括：

S01：提供預熱單元、工藝單元和傳輸單元，預先通過所述傳輸單元將待處理基板輸送至所述預熱單元；

S02：通過所述預熱單元將所述基板加熱至50℃-100℃，得到預熱基板；

S03：通過所述傳輸單元將所述預熱基板運送至所述工藝單元，并通過所述工藝單元對所述預熱基板進行氧化處理；

所述步驟S03中，控制所述傳輸單元的傳輸速度為5毫米/秒-40毫米/秒，所述預熱基板在所述預熱單元內的運輸時間為25秒-100秒，以使所述工藝單元內的所述預熱基板的溫度低于90℃。

本發明一種臭氧氧化工藝的有益效果在于：所述預熱單元加熱所述基板，使所述基板達到氧化反應所需要的溫度，得到預熱基板，通過所述傳輸單元將所述預熱基板傳送至所述工藝單元內，并通過所述工藝單元對所述預熱基板進行氧化處理，由于所述預熱單元和所述工藝單元分隔開，且所述傳輸單元的傳輸速度為5毫米/秒-40毫米/秒，所述預熱基板在所述預熱單元內的運輸時間為25秒-100秒，使所述工藝單元內的預熱基板溫度低于90℃，所以臭氧不會存在由于溫度過高而分解，有效避免了臭氧分解的問題，大大提高了生產效率。

優選地，所述工藝單元包括供氣單元；

所述步驟S03中，所述氧化處理包括：所述供氣單元提供反應氣體并控制所述反應氣體的濃度為2％-12％。其有益效果在于：通過供氣單元提供并控制所述反應氣體的濃度為2％-12％，使所述預熱基板的氧化反應效果最佳。