[發(fā)明專利]一種織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110348819.7
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113085020B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伍尚華;李林;伍海東;張鳳林
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: B28D1/06
• 分類號: B28D1/06;H01L23/15
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 蔣學(xué)超

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和應(yīng)用，涉及氮化硅陶瓷基板制備技術(shù)領(lǐng)域。所述方法應(yīng)用于織構(gòu)化氮化硅陶瓷中，所述方法包括：通過電鍍金剛石線鋸沿著與所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷的織構(gòu)化方向垂直的方向?qū)⑺隹棙?gòu)化氮化硅陶瓷切割為織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板。本發(fā)明實(shí)施例中，通過電鍍金剛石線鋸沿著與所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷的織構(gòu)化方向垂直的方向?qū)⑺隹棙?gòu)化氮化硅陶瓷切割為織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板，由此得到的織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的厚度方向與其織構(gòu)化方向一致，從而具備了更好的導(dǎo)熱性能，其熱導(dǎo)率超過100m^?1﹒k^?1，同時所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm，從而能夠滿足電子器件基板對高導(dǎo)熱性的要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氮化硅陶瓷基板制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)

目前，人們對陶瓷基板的材料的導(dǎo)熱性能的要求越來越高，傳統(tǒng)的流延成型方法制備的陶瓷基板只能達(dá)到60W·m^-1k^-1。

織構(gòu)化氮化硅陶瓷相較于無織構(gòu)化氮化硅陶瓷，擁有著更優(yōu)秀的性能，包括強(qiáng)度、硬度、熱導(dǎo)率方面。

傳統(tǒng)的氮化硅陶瓷的導(dǎo)熱率較低，限制了其作為電子元器件基板的應(yīng)用。因此，如何切割得到高熱導(dǎo)率的氮化硅陶瓷基板，成為本領(lǐng)域亟需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題是如何切割高熱導(dǎo)率的氮化硅陶瓷基板。

為了解決上述問題，第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提出一種基于電鍍金剛石線鋸切割織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的方法，所述方法應(yīng)用于織構(gòu)化氮化硅陶瓷中，所述方法包括：通過電鍍金剛石線鋸沿著與所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷的織構(gòu)化方向垂直的方向?qū)⑺隹棙?gòu)化氮化硅陶瓷切割為織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷固定于所述電鍍金剛石線鋸的載物臺上，所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷的織構(gòu)化方向與所述電鍍金剛石線鋸的金剛石線垂直。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電鍍金剛石線鋸的工件進(jìn)給速度設(shè)定為0.08mm/min-0.12mm/min。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電鍍金剛石線鋸的鋸絲線速度設(shè)定為30-35m/s。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電鍍金剛石線鋸的金剛石線的張緊力設(shè)定為27N-30N。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電鍍金剛石線鋸的金剛石線的擺動角度設(shè)定為7-9°。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述電鍍金剛石線鋸的金剛石線的金剛石的目數(shù)為300-400目。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提出一種織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板，所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板由第一方面所述的基于電鍍金剛石線鋸切割織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的方法制備。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的熱導(dǎo)率超過100m^-1·k^-1，所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供如第二方面所述的織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板在電子器件基板中的應(yīng)用。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例所能達(dá)到的技術(shù)效果包括：

本發(fā)明實(shí)施例中，通過電鍍金剛石線鋸沿著與所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷的織構(gòu)化方向垂直的方向?qū)⑺隹棙?gòu)化氮化硅陶瓷切割為織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板，由此得到的織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的厚度方向與其織構(gòu)化方向一致，從而具備了更好的導(dǎo)熱性能，其熱導(dǎo)率超過100m^-1·k^-1，同時所述織構(gòu)化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm，從而能夠滿足電子器件基板對高導(dǎo)熱性的要求。

附圖說明