[發明專利]一種快恢復芯片的制造方法、制造設備和快恢復芯片

有效

• 申請號: 202110348517.X
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN113223953B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 王超;任宏志
• 申請（專利權）人: 青島惠科微電子有限公司;青島惠芯微電子有限公司;北海惠科半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種快恢復芯片的制造方法，其特征在于，包括步驟：

使用磷源對硅片進行磷擴散，以在所述硅片的至少一面形成磷擴散結構層；

去除所述硅片的其中一面的所述磷擴散結構層；

使用硼源對所述硅片進行硼擴散，以在所述硅片去除所述磷擴散結構層的一面形成硼擴散結構層；

對所述硼擴散結構層的表面進行拋光處理，以形成第一拋光面；

使用鉑源在所述第一拋光面進行鉑擴散，從而使得鉑原子均勻的分布在所述硅片內；

采用經過所述鉑擴散后的硅片制備得到快恢復芯片；

其中，經過拋光處理后的所述硅片的厚度比拋光前的所述硅片的厚度小3-5微米。

2.如權利要求1所述的一種快恢復芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用鉑源在所述第一拋光面進行鉑擴散的步驟中，所述鉑源為液態鉑源，所述液態鉑源均勻涂布在所述第一拋光面上以進行鉑擴散。

3.如權利要求2所述的快恢復芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用鉑源在所述第一拋光面進行鉑擴散的步驟中，所述鉑擴散的溫度為在800-950℃。

4.如權利要求1所述的快恢復芯片的制造方法，其特征在于，在所述去除所述硅片的其中一面的所述磷擴散結構層的步驟中，通過噴砂處理，以去除所述硅片的其中一面的所述磷擴散結構層。

5.如權利要求1所述的快恢復芯片的制造方法，其特征在于，

在所述使用硼源對所述硅片進行硼擴散，以在所述硅片去除所述磷擴散結構層的一面形成硼擴散結構層的步驟前，所述方法還包括：

對所述硅片去除所述磷擴散結構層的表面進行拋光處理，以形成第二拋光面；

在所述使用硼源對所述硅片進行硼擴散的步驟中，在所述第二拋光面涂覆液態硼源，以對所述硅片進行硼擴散。

6.如權利要求1所述的快恢復芯片的制造方法，其特征在于，在所述使用鉑源在所述第一拋光面進行鉑擴散的步驟中，以每分鐘5-7升的速率通入氮氣。

7.如權利要求1-6任一項所述的快恢復芯片的制造方法，其特征在于，在所述對所述硼擴散結構層的表面進行拋光處理，以形成第一拋光面的步驟中，對拋光后的所述硅片進行清洗。

8.一種快恢復芯片，其特征在于，采用如權利要求1-7任意一項所述的快恢復芯片的制造方法制得，所述快恢復芯片包括：

磷區，為所述快恢復芯片的陰極；

基區，設置在所述磷區上；

硼區，設置在所述基區上，為所述快恢復芯片的陽極；

其中，在所述硼區遠離所述基區的一面形成有拋光面，所述快恢復芯片包括鉑原子，所述鉑原子均勻分布所述磷區、基區和硼區內。

9.一種快恢復芯片的制造設備，其特征在于，包括：

多個不同的擴散裝置，分別實現硅片的磷擴散、硼擴散以及鉑擴散；

拋光裝置，用于將進行硼擴散后的硅片進行拋光；

其中，所述快恢復芯片的制造設備使用所述權利要求1至7任意一項所述的快恢復芯片的制造方法以制得所述快恢復芯片。