[發(fā)明專利]一種多晶硅還原爐布棒方法、環(huán)狀布棒多晶硅及用途在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110348420.9 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113073385A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 侯彥青;王品杰;袁興平;趙丹;趙璐;馬文會;謝剛;尤祥;官鵬;楊青宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中仟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11825 | 代理人： | 田江飛 |
| 地址： | 650093 云南省*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 還原 爐布棒 方法 環(huán)狀 用途 | ||
1.一種多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述硅棒排布呈圓環(huán)狀排布，所述圓環(huán)排布中任一圓環(huán)中任一硅棒距離該圓環(huán)的幾何中心距離為R。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述每一圓環(huán)形成的幾何圖形在底盤呈正n邊形分布。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述圓環(huán)排布中任一圓環(huán)中任一硅棒距離該圓環(huán)的幾何中心距離R可以表示為與硅棒形成的正多邊形相關(guān)的幾何參數(shù)的代數(shù)式。
4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述幾何參數(shù)的代數(shù)式為：
5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述代數(shù)式中m為每一環(huán)中一對硅棒中兩硅芯之間間距。
6.如權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述代數(shù)式中r為硅棒的最大沉積半徑。
7.如權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述代數(shù)式中i為硅棒沉積到最大半徑時相鄰兩對硅棒所形成的圓截面最小距離。
8.如權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐布棒方法，其特征在于，所述代數(shù)式中n為每一環(huán)硅棒在底盤所形成的中心對稱圖形的邊數(shù)，n為正整數(shù)。
9.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1～8任意一項所述的多晶硅還原爐布棒方法得到的環(huán)狀布棒多晶硅。
10.一種如權(quán)利要求9所述的環(huán)狀布棒多晶硅在電子信息行業(yè)和太陽能光伏行業(yè)中的用途。
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