[發(fā)明專(zhuān)利]集成芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110348142.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113555313A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊士?jī)|;詹佑晨;盧孟珮;黃心巖;李明翰;眭曉林 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/768 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/768 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 王宇航;黃艷 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 芯片 | ||
1.一種集成芯片,包括:
一下側(cè)內(nèi)連線介電層,配置于一基板上;
一內(nèi)連線線路,配置于該下側(cè)內(nèi)連線介電層上;
一第一內(nèi)連線介電層,配置于該內(nèi)連線線路的外側(cè)側(cè)壁周?chē)?/p>
一保護(hù)襯墊層,直接配置于該內(nèi)連線線路的外側(cè)側(cè)壁與該內(nèi)連線線路的上表面上;
一第一蝕刻停止層,直接配置于該第一內(nèi)連線介電層的上表面上;
一第二內(nèi)連線介電層,配置于該第一內(nèi)連線介電層與該內(nèi)連線線路上;以及
一內(nèi)連線通孔,延伸穿過(guò)該第二內(nèi)連線介電層、直接配置于該保護(hù)襯墊層上、并電性耦接至該內(nèi)連線線路,
其中該保護(hù)襯墊層包括石墨烯。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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