[發明專利]一種多孔碳化硅陶瓷片及其制備方法在審
| 申請號: | 202110347375.5 | 申請日: | 2021-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN112851396A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱化興軟控科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B38/06 | 分類號: | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司: | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 趙君 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市高新技術產業開發區哈工大沿海*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 碳化硅 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟1、將碳化硅粉用稀鹽酸酸洗、烘干,放入電阻爐中900-1000℃煅燒2-3h,待用;
步驟2、按照重量份數稱量步驟1制備得到的碳化硅、聚乙烯亞胺、乙醇,將稱量好的碳化硅、聚乙烯亞胺、乙醇置于球磨罐中進行球磨,得到第一混合物,待用;
步驟3、將步驟2得到的第一混合物中加入環氧樹脂,攪拌后再加入四乙烯五胺,攪拌后得到混合漿料,待用;
步驟4、將步驟3得到的混合漿料真空除泡10-20min,然后注入到模具中定型后脫模,得到坯體,待用;
步驟5、將步驟4得到的坯體烘干后,置于電阻爐中內以5-8℃/min的升溫速率升至550-600℃保持30-60min,繼續升溫至1350-1400℃保持3-5h,之后隨爐冷卻,得到一種多孔碳化硅陶瓷片。
2.根據權利要求1所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟1中稀鹽酸的濃度為3-10wt%。
3.根據權利要求1或2所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟1中碳化硅粉和稀鹽酸的料液比為1:5-10g/ml,烘干溫度為80-120℃,烘干時間為1-2h。
4.根據權利要求3所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟2中碳化硅的重量份數為40-50份、聚乙烯亞胺的重量份數為10-15份、乙醇的重量份數為75-100份。
5.根據權利要求4所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟2中球磨的轉速為50-200r/min,球磨的時間為0.5-2h。
6.根據權利要求5所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟3中第一混合物、環氧樹脂、四乙烯五胺的質量比為100-120:3-5:2-5,攪拌轉速50-200r/min,加入環氧樹脂后攪拌時間30-45min,加入四乙烯五胺后再攪拌30-45min。
7.根據權利要求6所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟4中模具為橡膠模具,模具的直徑為100-200mm,混合漿料注入模具的高度為1-2mm。
8.根據權利要求6所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法,其特征在于:步驟5中坯體烘干溫度為100-120℃,烘干時間5-6h。
9.一種權利要求1-8之一所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的制備方法制備的一種多孔碳化硅陶瓷片,其特征在于:所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的孔隙率為30-50%,所述的一種多孔碳化硅陶瓷片的孔徑為10-50μm。
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