[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 202110347242.8 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113540220A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李家慶;蔡昕翰;邱詩航;湯宗達;吳仲強;鍾鴻欽;李顯銘;李達元;陳建豪;陳建豪;游國豐;陳嘉偉;許智育 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
移除一虛置柵極與一虛置柵極介電層以形成一凹陷于相鄰的多個柵極間隔物之間；
沉積一柵極介電層于該凹陷中；
沉積一阻擋層于該柵極介電層上；
沉積一第一功函數層于該阻擋層上；
形成一第一抗反應層于該第一功函數層上，該第一抗反應層減少該第一功函數層的氧化，且該第一抗反應層與該第一功函數層包含的材料不同；以及
沉積一填充材料于該第一抗反應層上。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110347242.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：制造顯示裝置的方法
- 下一篇：半導體裝置的形成方法
- 同類專利
- 專利分類
