[發明專利]一種平面型的阻變存儲器及其制備方法在審
| 申請號： | 202110347035.2 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113193112A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 韓素婷;呂子玉;周曄;邢雪朝;王燕;翟永彪 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 劉芙蓉 |
| 地址： | 518061 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種平面型的阻變存儲器，其特征在于，包括：襯底、位于所述襯底兩端的第一電極和第二電極、及位于所述第一電極和第二電極之間的介質層，所述介質層為一維納米材料或一維微米材料。
2.根據權利要求1所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述一維納米材料選自納米線、納米帶、納米管、納米棒中的一種；
或者，所述一維微米材料選自微米線、微米帶、微米管、微米棒中的一種。
3.根據權利要求1所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述介質層的材料選擇肽、氨基酸、無機材料中的一種。
4.根據權利要求1所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述介質層為納米線。
5.根據權利要求4所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述納米線的直徑為50-2000納米，所述納米線的長度為5-1000微米。
6.根據權利要求1所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述介質層為苯丙氨酸二肽納米線。
7.根據權利要求1所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極和第二電極獨立地選自銀、金、銅、鎳中的一種。
8.一種權利要求1-7任一項所述的平面型的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底；
在所述襯底兩端制備第一電極和第二電極；
將制備好的一維納米材料或一維微米材料形成于所述第一電極和第二電極之間，得到介質層。
9.根據權利要求8所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，所述介質層由納米線組成，采用溶液自組裝制備得到所述納米線。
10.根據權利要求8所述的平面型的阻變存儲器，其特征在于，采用干法轉移將制備好的一維納米材料或一維微米材料轉移至所述第一電極和第二電極之間。
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