[發(fā)明專利]一種PERC電池、其AlOx鍍膜工藝、多層AlOx背鈍化結(jié)構(gòu)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110345985.1 | 申請日: | 2021-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN113097341A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃智;張林;張鵬;楊東;徐濤;翟緒錦;謝泰宏;蕭圣義 | 申請(專利權(quán))人: | 通威太陽能(安徽)有限公司;通威太陽能(金堂)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/324;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 安徽知問律師事務(wù)所 34134 | 代理人: | 平靜;王澤洋 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 perc 電池 alox 鍍膜 工藝 多層 鈍化 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種PERC電池、其AlOx鍍膜工藝、多層AlOx背鈍化結(jié)構(gòu)及方法,屬于PERC電池制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將經(jīng)過熱氧化退火后的硅片置入管式PECVD設(shè)備中,制備AlOx多層/漸變鈍化膜,其中,底層AlOx膜采用低功率和低脈沖開關(guān)比工藝條件,且底層AlOx膜和中層AlOx膜采用低沉積速率和高氧含量的工藝條件,頂層AlOx膜采用高沉積速率工藝條件。本發(fā)明底層和中層通過低沉積速率和高氧含量的工藝條件,降低對硅片表面氧化硅的破壞,提升背面鈍化層的表面化學(xué)鈍化效果;同時增加了AlOx的負(fù)電荷密度,提高了背面鈍化層的場鈍化效果。另外,外層采用高沉積速率工藝,確保整體工藝時間不受影響。通過本發(fā)明提供的技術(shù)路線制備的PERC電池片,轉(zhuǎn)換效率可以提升0.05?0.08%。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及PERC電池制備技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種PERC電池、其AlOx鍍膜工藝、多層AlOx背鈍化結(jié)構(gòu)及方法。
背景技術(shù)
晶硅太陽能電池是一種利用PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)換成電能的器件,其中PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)太陽能電池最早起源于上世紀(jì)八十年代,由澳洲新南威爾士大學(xué)的Martin Green研究組開發(fā)而成。有別于常規(guī)太陽能電池,其在電池背表面采用了介質(zhì)膜鈍化和局域金屬接觸的技術(shù),使得背表復(fù)合速率顯著降低、增加電池的背反射,從而大幅提升了電池的長波效應(yīng)。本世紀(jì)初,用于P型PERC電池背面的AlOx介質(zhì)膜的鈍化作用的發(fā)現(xiàn)及研究,使得PERC電池的產(chǎn)業(yè)化逐步成為可能。隨后隨著沉積AlOx產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)和設(shè)備的成熟,加上激光技術(shù)的引入,PERC技術(shù)開始逐步走向產(chǎn)業(yè)化。由于工藝簡單、成本較低,2017年以后,PERC電池已逐步發(fā)展成市場上主流的高效太陽能電池產(chǎn)品和技術(shù)。
目前,AlOx鈍化層的制備方式主要有原子層沉積(ALD)、等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相層級(PECVD)的方式,物理氣相沉積(PVD)用的較少。其中,ALD和PEALD制備原理是先后將氧化鋁的前驅(qū)體及氧化劑前驅(qū)體通入反應(yīng)腔體,然后通過前驅(qū)體在硅片表面上的吸附、反應(yīng)完成一層原子層尺度的AlOx層制備,如此循環(huán)不同次數(shù)制備出設(shè)定厚度的AlOx鈍化層,此處得到的AlOx鈍化層是采用同一工藝條件來制備的,所以通常統(tǒng)一稱為單層膜。每次循環(huán)及一種前驅(qū)體吸附后,均需吹掃腔體,去除反應(yīng)物和多余前驅(qū)體。PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。其基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,使得AlOx的幾種反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積。
由于管式PECVD技術(shù)具備成膜速率高,易維護(hù),Uptime高、工藝靈活以及和氮化硅膜可實(shí)現(xiàn)同機(jī)臺同管制備等特點(diǎn),具有顯著的綜合成本優(yōu)勢,逐步成為電池廠商的首選。但是,目前采用PECVD制備AlOx膜的工藝,AlOx膜均為單層膜(ALD、PEALD等方式也一樣)。其制備的AlOx膜在表面化學(xué)鈍化和場鈍化的鈍化效果方面還存在提升空間,且PECVD制備鈍化膜時,對硅片基體存在等離子體的轟擊損傷,破壞硅片表面的化學(xué)鈍化效果。所以,如何縮小鈍化方面的差異,提高PECVD方式制備的PERC電池片轉(zhuǎn)換效率仍是需要持續(xù)改進(jìn)的問題。
針對PECVD方式制備的AlOx膜在表面化學(xué)鈍化和場鈍化的鈍化效果方面存在的問題,專利公告號CN 107749429 B,公開了一種提升PERC電池背鈍化性能的AlOx沉積工藝;該申請案在板式PECVD工藝上,通過對AlOx膜工藝氣體流量的調(diào)整,在硅片表面和AlOx層之間引起一層富氧薄膜,改善表面化學(xué)鈍化效果,但該工藝還存在優(yōu)化空間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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