[發明專利]一種R-T-B系永磁材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202110344567.0
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN113066626B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 陳大崑;權其琛;黃佳瑩;付剛;許德欽;黃清芳
• 申請（專利權）人: 福建省長汀金龍稀土有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 王衛彬;鄒玲

1.一種R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下質量含量的組分：

R，28.5~32.0mas%；所述R為至少含有Nd的稀土元素；

Cu，0.16~0.20mas%；

Ga，0.60~0.80mas%；

B，≥0.99mas%；

Fe，64~68mas%；

Zr，0.25~0.44mas%；

N，0.20~0.60mas%；所述N為Ti、Nb和Hf中的一種或多種；

所述N包含Ti時，所述Ti的含量為0.10mas%或0.29~0.55mas%；

所述N包含Nb時，所述Nb的含量為0.25~0.51mas%；百分比為各組分質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比；

所述R-T-B系永磁材料包括富稀土相，硼化物和主相晶粒；

所述富稀土相為富釹相；所述硼化物為ZrB、HfB、NbB和TiB中的一種或多種；所述主相晶粒為Nd₂Fe₁₄B晶粒；

所述富稀土相分布有Cu和Ga；其中，所述Cu在富稀土相的分布量為所述Cu的95%以上；所述Ga在富稀土相的分布量為所述Ga的95%以上；

所述主相晶粒的內部分布有Ga；所述Ga在主相晶粒的內部的分布量為所述Ga的5%以下；

所述富稀土相和所述硼化物的晶界處分布有Zr，所述晶界處分布的Zr與B結合成硼化物；所述Zr在晶界處的分布量為所述Zr的95%以上；其中，所述Zr為取代所述主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的內部；取代主相晶粒中Fe的Zr的分布量為所述Zr的5%以下；

所述富稀土相和所述硼化物的晶界處分布有N，所述晶界處分布的N與B結合成硼化物；所述N在晶界處的分布量為所述N的95%以上；其中，所述N為取代所述主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的內部；取代主相晶粒中Fe的N的分布量為所述N的5%以下。

2.如權利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量為29.0~31.0mas%；百分比為所述R的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

3.如權利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量為29.74~29.95mas%；百分比為所述R的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

4.如權利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量為29.74mas%、29.89mas%、29.90?mas%、29.95mas%、30.13mas%、30.28mas%、30.56mas%或30.99mas%；百分比為所述R的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

5.如權利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nd的含量為29.5~31.0mas%；百分比為所述Nd的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

6.如權利要求5所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nd的含量為29.74~30.99mas%；百分比為所述Nd的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

7.如權利要求6所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nd的含量為29.74mas%、29.89mas%、29.90?mas%、29.95mas%、30.13mas%、30.28mas%或30.99mas%；百分比為所述Nd的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。

8.如權利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R還含有Pr。

9.如權利要求8所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Pr的含量為0~0.3mas%；百分比為所述Pr的質量占所述R-T-B系永磁材料總質量的質量百分比。