[發明專利]集成側向調制器的FP激光器在審
| 申請號： | 202110344374.5 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN113097859A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 孟祥輝;楊躍德;黃永箴;肖金龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028;H01S5/042;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 吳夢圓 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成 側向 調制器 fp 激光器 | ||
1.一種集成側向調制器的FP激光器，包括：
有源層，生長于所述N型InP襯底上；
P型InP層，生長在所述有源層上；
激射FP腔，生長于所述P型InP層上；在激射FP腔中光線沿所述激射FP腔延伸方向傳播；
調制FP腔，生長于所述P型InP層上；在調制FP腔中光線沿所述調制FP腔延伸方向傳播；所述激射FP腔和所述調制FP腔間形成側向耦合，所述側向與所述激射FP腔延伸方向和調制FP腔延伸方向相垂直；
電隔離槽，設置于所述激射FP腔和所述調制FP腔之間；
P面電極層，生長于所述激射FP腔和所述調制FP腔上。
2.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述激射FP腔和所述調制FP腔平行排列。
3.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，還包括：鍍膜層，設置在所述激射FP腔和/或所述調制FP腔的端部。
4.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述有源層上包括：
激射區域，與所述激射FP腔所在位置相對應；
調制區域，與所述調制FP腔所在位置相對應。
5.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述調制FP腔中載流子注入帶來的增益大于所述調制FP腔光線傳播的損耗，所述調制FP腔處于增益狀態，增強所述激射FP腔的功率。
6.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述調制FP腔中載流子注入帶來的增益小于所述調制FP腔光線傳播的損耗，所述調制FP腔處于損耗狀態，消減所述激射FP腔的功率。
7.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述調制FP腔中呈載流子抽取狀態，消減所述激射FP腔的功率。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，根據所述調制FP腔中電勢的變化，調節外界對所述集成側向調制器的FP激光器的載流子注入或抽取效果。
9.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述激射FP腔和所述調制FP腔呈條狀脊型波導結構。
10.根據權利要求1所述的集成側向調制器的FP激光器，其中，所述P面電極層由所述激射FP腔和所述調制FP腔上延伸至所述P型InP層上，且覆蓋所述P型InP層。
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