[發明專利]12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝在審
| 申請號: | 202110344138.3 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113073382A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 廣東高景太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/20 | 分類號: | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 盧澤明 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 12 單晶硅 拉制 收尾 工藝 | ||
1.12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于,按照如下步驟進行:
S1、升溫維持:當單晶硅棒的長度拉制到規定長度后,開始進行收尾,首先維持單晶爐的初始溫度,并以單晶硅棒初始的上升拉速為等徑末期的晶升速度,然后將單晶爐內的溫度逐步升溫,并逐漸降低單晶硅棒的晶升速度;
S2、縮頸生長:在所述升溫維持階段末端單晶爐的溫度基礎上提高單晶爐的溫度,在所述升溫維持階段末端的晶升速度基礎上調節單晶硅棒的上升速度;
S3、收尖階段:在所述縮頸生長階段末端單晶爐的溫度基礎上提高單晶爐的溫度,在所述縮頸生長階段末端的晶升速度基礎上提高單晶硅棒的晶升速度;
S4、結束收尾:當單晶硅棒收尾階段的長度達到180~240mm,單晶硅棒收尾末端的斷面直徑小于30mm時,降低堝位,使單晶硅棒脫離堝位內的硅單質熔液的液面,結束收尾。
2.根據權利要求1所述的12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于:所述步驟S1中所使用的單晶爐為型號160爐,單晶爐內配有36吋熱場,所述初始溫度為1445~1455℃,所述等徑末期的晶升速度為85~95mm/h,所述單晶爐的初始加熱功率為60~65kw。
3.根據權利要求1所述的12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于:所述升溫維持階段單晶硅棒增長的長度為30~40mm,晶升速度為79~110mm/h,所述單晶爐的加熱功率的變量值為1~8kw。
4.根據權利要求1所述的12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于,所述升溫維持階段包括以下幾個分階段:
S11、單晶硅棒增長的長度為0~5mm,單晶硅棒的晶升速度變化量為5~10mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為1~3kw;
S12、單晶硅棒增長的長度為5~10mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為1~5mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為2~5kw;
S13、單晶硅棒增長的長度為10~20mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-5~0mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為3~8kw;
S14、單晶硅棒增長的長度為20~40mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-2~-10mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為3~8kw。
5.根據權利要求4所述的12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于,所述升溫維持階段的工藝參數為:
S11、單晶硅棒增長的長度為0~5mm,單晶硅棒的晶升速度變化量為8mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為3kw;
S12、單晶硅棒增長的長度為5~10mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為2mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為4kw;
S13、單晶硅棒增長的長度為10~20mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-2mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為5kw;
S14、單晶硅棒增長的長度為20~40mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-8mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為6kw。
6.根據權利要求1所述的12吋單晶硅棒的拉制收尾工藝,其特征在于,所述縮頸生長階段包括以下幾個分階段:
S21、單晶硅棒增長的長度為40~60mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-5~-12mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為5~8kw;
S22、單晶硅棒增長的長度為60~80mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-3~-8mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為5~8kw;
S23、單晶硅棒增長的長度為80~100mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為-5~0mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為8~9kw;
S24、單晶硅棒增長的長度為100~120mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為0~5mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為9~10kw;
S25、單晶硅棒增長的長度為120~140mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為1~6mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為10~12kw;
S26、單晶硅棒增長的長度為140~160mm,單晶硅棒的晶升速度的變化量為5~15mm/h,所述單晶爐加熱功率的變量增加值為11~13kw。
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