[發明專利]一步法構筑表面具有微納結構疏水材料的方法

有效

• 申請號: 202110344107.8
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113105764B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 周寧琳;石紹澤;張盼;楚曉紅;王玉麗;劉奕含;宋秋嫻;徐旺;王悅
• 申請（專利權）人: 南京師范大學;南京周寧琳新材料科技有限公司
• 主分類號: C09D1/00
• 分類號: C09D1/00;C09D183/08
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 孫斌

1.一種一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法，其特征在于，包括如下步驟：

將硅烷偶聯劑、多羥基硅烷、異丙醇、層狀硅酸鹽、氟烴基硅烷在酸性條件下進行反應，經過回流攪拌，離心水洗后，獲得沉淀，最后再對其進行真空干燥、研磨過篩，得到具有微納結構的氟硅改性的層狀硅酸鹽疏水材料；其中按質量比0.1～0.5：2.8～4：5～12：3.5～10：1.5～3.5將硅烷偶聯劑、多羥基硅烷、異丙醇溶劑、層狀硅酸鹽、氟烴基硅烷混合，加入濃鹽酸調節pH為3～5；所述反應中還加入去離子水，所述去離子水與層狀硅酸鹽質量比為1～2：3.5～10；所述反應的溫度為60℃～80℃，回流攪拌8～12小時。

2.根據權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法，其特征在于，所述真空干燥其溫度為40℃～60℃，時間為20～24h，真空度為6.7～8.7Pa，篩網目數為100～300目。

3.根據權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑為γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)、γ-(2,3-環氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH-560)、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-570)中的任意一種。

4.根據權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法，其特征在于，所述多羥基硅烷為正硅酸乙酯(TEOS)或者正硅酸甲酯(TMOS)。

5.根據權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構的疏水材料的方法，其特征在于，所述氟烴基硅烷為1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基硅烷(PFOTS)、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷(PFOTES)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三甲氧基硅烷(PFDTS)中的任意一種。

6.根據權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法，其特征在于，所述層狀硅酸鹽為具有層狀結構的無機物，包括蒙脫土、滑石、云母中的任意一種。

7.一種權利要求1所述的一步法構筑具有微納結構疏水材料的方法所制備的具有微納結構的氟硅改質劑/層狀硅酸鹽疏水材料。