[發(fā)明專利]一種柔性氟晶云母襯底ITO膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110343649.3
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113088908A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 朱華;王艷香;章海;郭平春;李家科;張?zhí)旌?/a>
• 申請（專利權）人: 景德鎮(zhèn)陶瓷大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;H01L31/0224
• 代理公司: 北京君泊知識產(chǎn)權代理有限公司 11496
• 代理人: 王程遠

1.一種柔性氟晶云母襯底ITO膜的制備方法，其特征在于

采用磁控濺射技術在氟晶云母襯底上沉積ITO薄膜，儀器采用13.56MHz射頻高真空磁控濺射鍍膜機，靶材為銦錫氧化物，直徑為Φ50±1mm，厚度為5mm；襯底采用氟晶云母片，先用去離子水加洗潔精超聲清洗7min，再用丙酮超聲清洗7min，連續(xù)操作兩次，最后用吹風機吹干即可；靶基距為7cm，本底真空為9.9×10^-4Pa，氬氣流量控制在10sccm，濺射壓強控制在0.6Pa，預濺射5min，室溫條件，濺射功率為276W，濺射時間為2h；制備出的薄膜在高溫無保護氣氛退火2小時。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：所述薄膜退火溫度為500℃、600℃、700℃、800℃及900℃。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：所述靶材為10％SnO₂摻雜銦錫氧化物靶材。

4.利用權利要求1-3任一方法制得的柔性氟晶云母襯底ITO膜。

5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜，其特征在于：所述薄膜經(jīng)500-900℃高溫退火，隨溫度升高，薄膜電阻率明顯降低。

6.根據(jù)權利要求5所述的薄膜，其特征在于：所述薄膜退火溫度為800℃。

7.根據(jù)權利要求4所述的薄膜，其特征在于：所述柔性氟晶云母襯底ITO膜的電阻率為4.08×10^-4Ωcm。

8.根據(jù)權利要求4所述的薄膜，其特征在于：所述薄膜平均光透過率形成2個平臺，在600℃以下溫度處理，其平均光透過率在400-800nm波長區(qū)間；基本維持在91％，而在700℃-900℃高溫處理后其平均透過率急速降低至85％。

9.根據(jù)權利要求4所述的薄膜，其特征在于：所述薄膜隨彎曲次數(shù)增加，其方塊電阻有增大趨勢，但經(jīng)1200次彎曲后，其方塊電阻變化率不超過5％。

10.權利要求4所述的薄膜柔性氟晶云母襯底ITO膜在柔性太陽能電池、柔性平板顯示及光電探測器領域的應用。