[發明專利]一種基片集成波導天線陣列

有效

• 申請號: 202110343616.9
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113328266B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 吳婷;諶娟
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01Q21/06
• 分類號: H01Q21/06;H01Q1/52;H01Q21/00;H01Q15/00;H01Q1/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 寧文濤

1.一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，包括天線陣列輻射組件和饋電組件組成，所述天線陣列輻射組件包括若干天線單元，所述天線單元包括SIW縫隙天線和超表面，所述SIW縫隙天線由底介質基板、分別刻蝕在正反面的縫隙層和底板面組成，且由底介質基板左側的輸入端口進行饋電，8個間距為λg的縱向窄縫刻蝕在縫隙層上，所述超表面位于SIW縫隙天線正上方，所述超表面分為主單元和寄生單元，所述主單元由3*3貼片陣列組成，所述寄生單元由3*3貼片陣列組成，所述主單元位于SIW縫隙的正上方，所述寄生單元位于相鄰兩個主單元的中心。

2.如權利要求1所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述天線單元結構由兩層介質基板和三層金屬層組成，兩層所述介質基板的中間是空氣層。

3.如權利要求2所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述介質基板采用介電常數為3.66的RO4350。

4.如權利要求1所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述SIW縫隙天線沿Y軸排列，所述天線單元為8個，8個所述天線單元沿X軸排列。

5.如權利要求1所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述饋電組件為微帶線到SIW的漸變結構，所述微帶線到SIW的漸變結構由梯形饋電巴倫組成，所述饋電巴倫的底部與50ΩSMA轉接頭相連。

6.如權利要求1所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述饋電組件由三個SIW T型連接器和四個SIW Y型連接器組成，所述SIW T型連接器與SIW Y型連接器的輸出相等。

7.如權利要求1所述的一種基片集成波導天線陣列，其特征在于，所述超表面覆蓋頂介質基板的頂部表面。