[發明專利]CMOS圖像傳感器、干涉型濾光片及其制備方法有效
| 申請號： | 202110343446.4 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN113093322B | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 袁愷;陳世杰 | 申請（專利權）人： | 聯合微電子中心有限責任公司 |
| 主分類號： | G02B5/28 | 分類號： | G02B5/28;G03F7/00;H04N25/76 |
| 代理公司： | 北京北匯律師事務所 11711 | 代理人： | 馬亞坤 |
| 地址： | 401332 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 干涉 濾光 及其 制備 方法 | ||
1.一種干涉型濾光片，其特征在于，包括：第一材料層，波長調節層，第二材料層；
干涉型濾光片底層設置有所述第一材料層；
所述第一材料層上方設置有所述波長調節層，所述波長調節層用于抑制由于光的入射角不同產生的波長藍移；
所述波長調節層上方設置有所述第二材料層；
其中，所述波長調節層的結構包括：網格型結構；
在同一波段，所述網格型結構設置為，隨著像素單元逐漸遠離CMOS圖像傳感器芯片中心，網格型結構密度逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的干涉型濾光片，其特征在于，
在同一波段，隨著像素單元逐漸遠離CMOS圖像傳感器芯片中心，各個所述像素單元中所述波長調節層的有效折射率與光的入射角余弦值的乘積相同。
3.根據權利要求1所述的干涉型濾光片，其特征在于，所述網格型結構是由低折射率材料與高折射率材料交替排列構成；其中所述低折射率材料為SiO2，所述高折射率材料為Si3N4或TiO2。
4.一種干涉型濾光片，其特征在于，包括：第一材料層，波長調節層，第二材料層；
干涉型濾光片底層設置有所述第一材料層；
所述第一材料層上方設置有所述波長調節層，所述波長調節層用于抑制由于光的入射角不同產生的波長藍移；
所述波長調節層上方設置有所述第二材料層；
其中，所述波長調節層的結構包括：在同一波段，隨著像素單元逐漸遠離CMOS圖像傳感器芯片中心，所述波長調節層的摻雜物的摻雜濃度逐漸增大。
5.根據權利要求4所述的干涉型濾光片，其特征在于，在同一波段，隨著像素單元逐漸遠離CMOS圖像傳感器芯片中心，所述波長調節層的折射率與光的入射角余弦值的乘積相同。
6.一種CMOS圖像傳感器，包含權利要求1-5中任一項所述的干涉型濾光片，其特征在于，包括：像素區域、讀出電路、水平訪問電路以及垂直訪問電路；
所述垂直訪問電路連接至所述像素區域；
所述像素區域連接至所述讀出電路；
所述讀出電路連接至所述水平訪問電路。
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