[發明專利]一種電容結構、像素電路以及AMOLED顯示器件

在審

• 申請號: 202110342646.8
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113053987A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 王文濤;史大為;趙東升;王培;楊璐;趙天龍;段岑鴻
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L49/02
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 吳雪

1.一種電容結構，其特征在于，包括：從下至上依次層疊設置的第一電極板(1)和第二電極板(2)，所述第二電極板(2)在基底(6)上的正投影落在所述第一電極板(1)在基底(6)上的正投影內，且所述第二電極板(2)的每個邊緣與對應的所述第一電極板(1)的每個邊緣之間均具有間隙b，所述電容結構上還開設有用于漏出所述第一電極板(1)的接觸孔(3)。

2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一電極板(1)和所述第二電極板(2)均設置為封閉矩形結構。

3.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述接觸孔(3)開設于所述第二電極板(2)的邊緣處，且所述接觸孔(3)的其中一條邊與所述第二電極板(2)的其中一條邊相重合。

4.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述接觸孔(3)的每個邊緣與所述第二電極板(2)的邊緣之間均具有間隙c。

5.根據權利要求4所述的電容結構，其特征在于，所述接觸孔(3)的邊緣與所述第一電極板(1)的邊緣之間具有間隙d。

6.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，按照如下公式確定出所述間隙b：

其中：X為第一電極板(1)的線寬偏差；Y為第二電極板(2)的線寬偏差；Z為第二電極板(2)相對第一電極板(1)的偏移量。

7.根據權利要求4所述的電容結構，其特征在于，按照如下公式確定出所述間隙c：

其中：E為接觸孔(3)的線寬偏差；F為第二電極板(2)的線寬偏差；G為接觸孔(3)相對第二電極板(2)的偏移量。

8.根據權利要求5所述的電容結構，其特征在于，按照如下公式確定出所述間隙d：

其中：H為接觸孔(3)的線寬偏差；I為第一電極板(1)的線寬偏差；J為接觸孔(3)相對第一電極板(1)的偏移量。

9.根據權利要求6所述的電容結構，其特征在于，所述間隙b大于等于2μm。

10.根據權利要求7所述的電容結構，其特征在于，所述間隙c大于等于2μm。

11.根據權利要求8所述的電容結構，其特征在于，所述間隙d大于等于2μm。

12.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述電容結構還包括：用于包裹所述第一電極板(1)的電解質層(4)以及用于包裹所述第二電極板(2)的內部介電層(5)，所述接觸孔(3)其中一端依次穿過所述內部介電層(5)、第二電極板(2)以及電解質層(4)，與所述第一電極板(1)相連通。

13.根據權利要求12所述的電容結構，其特征在于，所述第一電極板(1)的下方從下至上依次層疊設置有基底(6)、隔絕層(7)、溝槽(8)以及用于包裹所述溝槽(8)的柵絕緣層(9)。

14.一種像素電路，其特征在于，包括：如權利要求1-13任一項所述的電容結構。

15.一種AMOLED顯示器件，其特征在于，包括：如權利要求14所述的像素電路。