[發明專利]一種靜電吸盤及等離子體反應裝置

在審

• 申請號: 202110341643.2
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN115148653A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 葉如彬;吳昊
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種靜電吸盤，其特征在于，包含：

基座，

設置在所述基座上的第一介電層；所述第一介電層為具有第一電阻率的有摻雜陶瓷材質，第一介電層內設有產生靜電力的電極；

設置在所述第一介電層上并覆蓋第一介電層的第二介電層；所述第二介電層為具有第二電阻率的無摻雜陶瓷材質；第二電阻率大于第一電阻率。

2.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層為有摻雜的AL₂O₃，其摻雜物包含Si、C、Mg，MgO，TiO₂中的任一種或多種。

3.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第二介電層為無摻雜的AL₂O₃。

4.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層的電阻率為10¹⁰～10¹²Ω.cm。

5.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第二介電層的電阻率大于10¹⁴Ω.cm。

6.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述第二介電層與晶圓接觸的表面設有多個均勻或非均勻分布的凸起部；所述凸起部的高度范圍為2～3um。

7.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，在第一、第二介電層之間還設有用于固定連接第一、第二介電層的黏接層。

8.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層的厚度為0.2～2mm。

9.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第二介電層的厚度為0.01～0.5mm。

10.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層具有0.6～0.8um的表面粗糙度；第二介電層具有0.1～0.2um的表面粗糙度。

11.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層底部粘接基座頂部，第二介電層的外圍向下延伸并完全覆蓋第一介電層的外側壁。

12.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，第一介電層嵌入設置在基座頂部，且第一介電層頂面與基座頂面平齊；第二介電層設置在基座上并完全覆蓋第一介電層。

13.如權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，基座的外側壁設有耐等離子體腐蝕的鍍膜。

14.如權利要求6所述的靜電吸盤，其特征在于，基座中設置有若干冷卻管道，所述冷卻管道包含氦氣通道，通過所述氦氣通道將氦氣通至晶圓與第二介電層之間的間隙，且氦氣通道避讓所述凸起部。

15.一種等離子體反應裝置，包括一等離子體反應腔，其特征在于，等離子體反應腔內底部設有如權利要求1至14任一所述的靜電吸盤，通過所述靜電吸盤吸附待加工的晶圓。