[發明專利]存儲器及其操作方法、裝置、存儲介質

有效

• 申請號: 202110341303.X
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113035255B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 楊盛瑋
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/10
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本發明實施例提供了一種存儲器及其操作方法、裝置、存儲介質。其中，存儲器包括：存儲單元陣列、電容控制電路及頁緩沖器，其中：所述存儲單元陣列，包括多個存儲單元；所述電容控制電路，用于實現對感測電容的電容值的調制；所述頁緩沖器包括所述感測電容，所述感測電容用于利用調制的電容值將待讀取存儲單元產生的溝道電流轉化為單位時間內的電壓變化；所述頁緩沖器，用于根據所述感測電容上的電壓變化，確定是否讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種存儲器及其操作方法、裝置、存儲介質。

背景技術

隨著信息社會的不斷發展，各行業對高密度的存儲器的需求日益增長，與此同時，對信息的保密性也提出了新的要求。因此，亟待提出一種存儲器在不影響正常存儲數據的前提下，能夠實現存儲信息的保密性。

發明內容

為解決現有存在的技術問題，本發明實施例提出一種存儲器及其操作方法、裝置、存儲介質。

本發明實施例提供了一種存儲器，包括：存儲單元陣列、電容控制電路及頁緩沖器，其中：

所述存儲單元陣列，包括多個存儲單元；

所述電容控制電路，用于實現對感測電容的電容值的調制；

所述頁緩沖器包括所述感測電容，所述感測電容用于利用調制的電容值將待讀取存儲單元產生的溝道電流轉化為單位時間內的電壓變化；

所述頁緩沖器，用于根據所述感測電容上的電壓變化，確定是否讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據。

上述方案中，所述頁緩存器，還用于確定讀取所述待讀取存儲單元的實際存儲的數據后，根據所述電壓變化，確定所述待讀取存儲單元的存儲狀態。

上述方案中，所述頁緩存器，還用于確定不讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據時，輸出隨機數。

上述方案中，所述頁緩沖器，具體用于當所述電壓變化滿足第一預設條件時，確定讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據；當所述電壓變化不滿足第一預設條件時，確定不讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據；所述調制的電容值為預設值時，所述感測電容的電壓變化滿足第一預設條件。

上述方案中，所述存儲器包括多個頁緩沖器；其中，所述多個頁緩沖器對應的多個感測電容對應的電容值的預設值相同或不同。

上述方案中，所述感測電容包括鐵電電容。

上述方案中，所述電容控制電路，具體用于：根據接收到的第一信號，產生第一電壓；在所述感測電容上施加所述第一電壓，以使所述感測電容的電容值調制至第一值；所述第一信號表征所述待讀取存儲單元對應的感測電容的目標電容值。

上述方案中，所述存儲器包括三維NAND型存儲器。

上述方案中，所述存儲器包括設置在第一襯底上的所述存儲單元陣列、設置在第二襯底上的所述電容控制電路及所述頁緩沖器；其中，所述第一襯底和所述第二襯底通過鍵合連接。

本發明實施例又提供了一種存儲器的操作方法，所述存儲器包括：存儲單元陣列、電容控制電路及頁緩沖器；所述操作方法包括：

控制所述電容控制電路調制感測電容的電容值至第一值；

控制所述頁緩沖器中的感測電容利用調制的電容值將所述儲單元陣列中待讀取存儲單元產生的溝道電流轉化為單位時間內的電壓變化；

控制所述頁緩存器根據所述感測電容上的電壓變化，確定是否讀取所述待讀取存儲單元實際存儲的數據。

上述方案中，所述方法還包括：確定讀取所述待讀取存儲單元的實際存儲的數據后，根據所述電壓變化，確定所述待讀取存儲單元的存儲狀態。