[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202110340223.2 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113097269B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 鄧賢柱;張萌;杜凌霄;單奇 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
設置于所述襯底基板上的像素發光層;
設置于所述像素發光層遠離所述襯底基板一側的光致變色層;所述光致變色層在所述像素發光層發光時呈透光狀態、且在所述像素發光層不發光時呈非透光狀態;
設置于所述光致變色層遠離所述襯底基板一側的封裝層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素發光層包括多個子像素單元,所述子像素單元包括:第一陽極;設置于所述第一陽極遠離所述襯底基板一側的發光層;設置于所述發光層遠離所述襯底基板一側的陰極;
所述光致變色層包括:設置于所述陰極遠離所述襯底基板一側的變色材料層;設置于所述變色材料層遠離所述襯底基板一側的離子存儲層;設置于所述離子存儲層遠離所述襯底基板一側的第二陽極。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述變色材料層至少覆蓋所述陰極對應所述發光層的區域,所述離子存儲層至少覆蓋所述變色材料層;所述第二陽極至少覆蓋所述離子存儲層。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述變色材料層在所述襯底基板上的正投影與所述發光層在所述襯底基板上的正投影重合,所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影與所述陰極在所述襯底基板上的正投影重合。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述變色材料層在所述襯底基板上的正投影、所述離子存儲層在所述襯底基板上的正投影、所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影均與所述發光層在所述襯底基板上的正投影重合。
6.根據權利要求2或3所述的顯示面板,其特征在于,
當所述像素發光層發光時,所述陰極輸出第一信號,所述第一陽極輸出第二信號,所述第二陽極輸出第一信號;
當所述像素發光層不發光時,所述陰極輸出第一信號,所述第一陽極輸出第一信號,所述第二陽極輸出第三信號。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素單元包括子像素M1-Mn,
當所述變色材料層在所述襯底基板上的正投影、所述離子存儲層在所述襯底基板上的正投影、所述第二陽極在所述襯底基板上的正投影均與所述發光層在所述襯底基板上的正投影重合時,所述第二陽極包括子陽極A1-An;
其中,子陽極Aj在所述襯底基板上的正投影與子像素Mj的發光層在所述襯底基板上的正投影重合,n為大于等于3的整數,1≤j≤n。
8.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,還包括:設置于所述襯底基板和所述像素發光層之間的薄膜晶體管;
其中,所述薄膜晶體管包括:設置于所述襯底基板上的有源層,設置于所述有源層上的柵極絕緣層,設置于所述柵極絕緣層上的柵極,設置于所述柵極上的層間絕緣層,設置于所述層間絕緣層上的源極和漏極;
或者,所述薄膜晶體管包括:設置于所述襯底基板上的柵極,設置于所述柵極上的柵極絕緣層,設置于所述柵極絕緣層上的有源層,設置于所述有源層上的層間絕緣層,設置于所述層間絕緣層上的源極和漏極。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述第一陽極與所述源極和所述漏極中的任一電連接,或者與所述柵極電連接。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
設置于所述封裝層遠離所述襯底基板一側的觸控層;
設置于所述觸控層遠離所述襯底基板一側的功能層,所述功能層包括間隔設置的彩色濾光部和遮光部;
設置于所述功能層遠離所述襯底基板一側的蓋板。
11.根據權利要求2或3所述的顯示面板,其特征在于,所述變色材料層的材料為有機光致變色材料和/或無機光致變色材料。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其特征在于,所述變色材料層的材料為三氧化鎢。
13.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-12中任意一項所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥維信諾科技有限公司,未經合肥維信諾科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110340223.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





