[發(fā)明專利]形成薄膜的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110339032.4
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113493906A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 姜成圭;崔鐘完;金英勛;金熙哲;李庚垠;柳太熙
• 申請（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/455;C23C16/40;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種襯底處理方法，其包含：

在反應室中提供具有溝槽的襯底；

對所述反應室進行抽氣到5托或以下的壓力；并且

通過沉積循環(huán)用膜填充所述溝槽，所述沉積循環(huán)包含：

供應前體；

供應反應物；以及

供應包含相對高射頻分量和相對低射頻分量的射頻電磁輻射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包含同時提供所述相對高射頻分量和所述相對低射頻分量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包含依序提供所述相對高射頻分量和所述相對低射頻分量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述相對高射頻分量與所述相對低射頻分量部分重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述高射頻分量和所述低射頻分量中的至少一個以占空比為大約10％至75％的脈沖的形式供應。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述反應室進行抽氣到小于4托或甚至3托或更小的壓力。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述前體是氨基硅烷、碘硅烷和鹵化硅中的至少一個或其組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述前體是以下中的至少一種：DIPAS、SiH₃N(iPr)₂、TSA、(SiH₃)₃N、DSO、(SiH₃)₂、DSMA、(SiH₃)₂NMe、DSEA、(SiH₃)₂Net、DSIPA、(SiH₃)₂N(iPr)、DSTBA、(SiH₃)₂N(tBu)、DEAS、SiH₃NEt₂、DTBAS、SiH₃N(tBu)₂、BDEAS、SiH₂(NEt₂)₂、BDMAS、SiH₂(NMe₂)₂、BTBAS、SiH₂(NHtBu)₂、BITS、SiH₂(NHSiMe₃)₂、TEOS、Si(OEt)₄、SiCl₄、HCD、Si₂Cl₆、3DMAS、SiH(N(Me)₂)₃；BEMAS、SiH2[N(Et)(Me)]₂；AHEAD、Si₂(NHEt)₆；TEAS、Si(NHEt)₄；Si₃H₈；DCS、SiH₂Cl₂；SiHI₃、SiH₂I₂或其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應物是以下中的至少一種：O₂、O₃、N₂O和CO₂或其組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包含在供應前體或反應物與供應射頻電磁輻射之間吹掃。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包含在整個所述循環(huán)中連續(xù)地提供反應物。