[發(fā)明專利]金屬化膜及金屬化薄膜電容器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110338464.3 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113077984A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳淵偉;向艷雄;陳文耀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門法拉電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01G4/005 | 分類號(hào)： | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/06;H01G4/33 |
| 代理公司： | 廈門創(chuàng)象知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35232 | 代理人： | 陳文戎 |
| 地址： | 361022 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬化 薄膜 電容器 | ||
1.一種金屬化膜，其特征在于，包括：薄膜介質(zhì)層、第一電極層和第二電極層；
其中，所述第一電極層蒸鍍?cè)谒霰∧そ橘|(zhì)層一側(cè)外表面上，所述第二電極層與所述薄膜介質(zhì)層相對(duì)蒸鍍?cè)谒龅谝浑姌O層外表面上；
所述第二電極層包括加厚部和漸變部。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第一電極層的寬度小于所述薄膜介質(zhì)層，以在所述第一電極層和所述薄膜介質(zhì)層之間設(shè)置留白區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第一電極層設(shè)有電極分割區(qū)，所述電極分割區(qū)包括網(wǎng)格狀分布的多個(gè)電極塊，所述電極塊之間通過熔絲進(jìn)行連接。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層均設(shè)有電極分割區(qū)，所述電極分割區(qū)與非電極分割區(qū)之間通過熔絲進(jìn)行連接，所述電極分割區(qū)包括多個(gè)電極塊。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第一電極層的材質(zhì)為鋁或鋅鋁。
6.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第二電極層的材質(zhì)為鋁或鋅。
7.如權(quán)利要求1所述的金屬化膜，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層加厚重疊端頭采用波浪分切。
8.一種金屬化薄膜電容器，其特征在于，包括至少兩層如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的金屬化膜，且相鄰兩層所述金屬化膜之間錯(cuò)位設(shè)置。
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