[發(fā)明專利]一種微小的陣列壓電傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110337764.X
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN113161475A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱?;石鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東奧迪威傳感科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L41/113
• 分類號(hào): H01L41/113;H01L41/047
• 代理公司: 廣州知順知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44401
• 代理人: 彭志堅(jiān)

1.一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于，包括：

多個(gè)陣元，所述陣元陣列排布；

所述陣元設(shè)有陶瓷層，所述陶瓷層上下表面設(shè)有上金屬電極層和下金屬電極層，所述上金屬電極層上側(cè)設(shè)有耦合層，所述下金屬電極層下側(cè)設(shè)有背襯層；

所述上金屬電極層連接第一引出線，所述第一引出線穿過所述背襯層引出外側(cè)；

所述下金屬電極層連接第二引出線，所述第二引出線穿過所述背襯層引出外側(cè)；

多個(gè)所述陣元之間設(shè)有填充介質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述填充介質(zhì)經(jīng)過去耦合處理。

3.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述耦合層上側(cè)設(shè)有介質(zhì)層，所述耦合層滿足測試介質(zhì)與所述陣元的聲阻抗匹配原則，所述陶瓷層的阻抗為Z1，所述耦合層的阻抗為Z3，所述介質(zhì)層的阻抗為Z2，滿足以下關(guān)系：

4.如權(quán)利要求3所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述耦合層的厚度為測試聲波波長的1/4或3/4。

5.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述背襯層采用具有吸收聲衰減的材料制成。

6.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：多個(gè)所述上金屬電極層采用共用電極，所述共用電極通過所述第一引出線將電性引出至所述背襯層外側(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述共用電極采用穿孔的方式進(jìn)行引線至所述下金屬電極層的一側(cè)，將所述第一引出線引出所述背襯層外側(cè)。

8.如權(quán)利要求6所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述共用電極采用翻邊包覆的方式進(jìn)行引線至所述下金屬電極層的一側(cè)，將所述第一引出線引出所述背襯層外側(cè)。

9.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：多個(gè)所述陣元之間最小距離為測試發(fā)聲波長的1/2。

10.如權(quán)利要求1所述的一種微小的陣列壓電傳感器，其特征在于：所述上金屬電極層在X軸方向被分隔成4等分，并將引線引至所述下金屬電極層的一側(cè)；所述下金屬電極層在Y軸方向被分隔成4等分，引出線驅(qū)動(dòng)時(shí)，分別施加所述陣元X軸、Y軸相交的電極面進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。