[發明專利]光致抗蝕劑層表面處理、蓋層和形成光致抗蝕劑圖案的方法

在審

• 申請號: 202110337729.8
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113156770A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 郭怡辰;劉之誠;翁明暉;魏嘉林;陳彥儒;李志鴻;鄭雅如;楊棋銘;李資良;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 趙艷

1.一種在光致抗蝕劑層中形成圖案的方法，所述方法包括：

在基板上方形成光致抗蝕劑層；

降低所述光致抗蝕劑層的濕氣或氧氣吸收特性；

將所述光致抗蝕劑層選擇性地暴露于光化輻射以形成潛在圖案；以及

通過將顯影劑施加至所述經選擇性暴露的光致抗蝕劑層使所述潛在圖案顯影以形成圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述光致抗蝕劑層包含含金屬的光致抗蝕劑組合物。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述降低所述光致抗蝕劑層的濕氣或氧氣吸收特性包括在所述光致抗蝕劑層上方形成蓋層，其中所述蓋層由氧化硅、氮化硅、碳化硅、SiOC、SiON或它們的多層組合制成。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述蓋層為單層。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述蓋層是通過化學氣相沉積或原子層沉積形成的。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述降低所述光致抗蝕劑層的濕氣或氧氣吸收特性包括對所述光致抗蝕劑層的表面執行表面處理。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述表面處理包括使所述光致抗蝕劑層中的配體的端基與氨、硅烷、烷基鹵化物、鹵化硅、氨基烷基或羧基烷基反應。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述表面處理包括用非極性有機基團替換所述光致抗蝕劑層中的配體的端基。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述表面處理包括將所述光致抗蝕劑層的所述表面從親水表面改變為疏水表面。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述表面處理包括將所述光致抗蝕劑層中的配體上的親水端基轉化為疏水端基。