[發明專利]利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法

有效

• 申請號: 202110337570.X
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113078268B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 魏靜;孫相彧;李紅博
• 申請（專利權）人: 北京理工大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/44;B82Y40/00;B82Y10/00
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• 代理人: 暫無信息

1.一種利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1：利用SnO₂納米晶、造孔劑PVP和超純水制備介孔前驅液并攪拌均勻；

S2：將設定量的介孔前驅液在基底上涂抹均勻；

S3：將涂抹均勻的基底進行25℃～200℃退火處理并持續第一設定時間得到SnO₂-PVP薄膜；

S4：將得到的SnO₂-PVP薄膜降至室溫后浸泡于異丙醇中并洗滌第二設定時間以移除造孔劑；

S5：將洗滌后的薄膜進行干燥處理。

2.根據權利要求1所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S2中，將介孔溶液在基底上涂抹均勻的方式為旋涂、噴涂、打印或刮涂。

3.根據權利要求2所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S2中，采用旋涂方式在基底上涂抹介孔溶液，具體為：以第一轉速旋涂第三設定時間立即再以第二轉速旋涂第四設定時間，其中，第二轉速大于第一轉速，第四設定時間大于第三設定時間。

4.根據權利要求3所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，基底的長度為15～40mm，基底的寬度為15～40mm，第一轉速為600～1500rpm，第二轉速為1500～4000rpm，第三設定時間為6～9s，第四設定時間為20～60s。

5.根據權利要求4所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S2中，設定量為20～200μL/cm²。

6.根據權利要求2所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S2中，采用噴涂方式在基底上涂抹介孔溶液，設定量為10～100μL/cm²。

7.根據權利要求2所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S2中，采用刮涂方式在基底上涂抹介孔溶液，設定量為10～100μL/cm²。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，設定量與最終獲得的介孔薄膜的厚度呈正相關。

9.根據權利要求1所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S1中，介孔前驅液的制備方式為：將濃度為10～50mg/ml的PVP加入濃度為3％～10％的SnO₂納米晶溶液混合均勻，再加入超純水并攪拌均勻。

10.根據權利要求1所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，第二設定時間為2～5h。

11.根據權利要求1所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S5中，將洗滌后的薄膜進行干燥處理的具體方式為：將洗滌后的薄膜置于100℃～200℃的熱臺加熱5～60min。

12.根據權利要求1所述的利用聚合物造孔劑低溫制備介孔薄膜的方法，其特征在于，在步驟S5中，將洗滌后的薄膜進行干燥處理的具體方式為：將洗滌后的薄膜置于120℃的真空干燥箱直至薄膜完全干燥。