[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202110337569.7
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113113430A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 胡小波
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具有像素區以及位于所述像素區旁側的綁定區，所述陣列基板包括：

襯底，所述襯底具有相對設置的第一面和第二面；

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設置在所述第一面，且所述薄膜晶體管位于所述像素區；

第一導電層，所述第一導電層設置在所述第一面，且所述第一導電層位于所述綁定區；

第二導電層，所述第二導電層設置在所述第一導電層遠離所述第一面的一面上；

非晶透明導電膜層，所述非晶透明導電膜層設置在所述第二導電層遠離所述第一導電層的一面，其中，所述第二導電層的結晶溫度小于所述非晶透明導電膜層的結晶溫度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電層的材料為氧化銦錫，所述非晶透明導電膜層的材料為氧化銦鋅和氧化銦鎵鋅中的至少一者。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述非晶透明導電膜層的厚度小于或等于150埃。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二導電層通過將導電材料層退火形成。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵極絕緣層、鈍化層和像素電極；

所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極；

所述柵極設置在所述第一面上；

所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極以及所述第一面，并且，所述第一導電層設置在所述柵極絕緣層上；

所述有源層設置在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的一面；

源極，所述源極設置在所述有源層遠離所述柵極絕緣層的一面；

漏極，所述漏極設置在所述有源層遠離所述柵極絕緣層的一面，并且，所述源極和所述漏極間隔設置；

所述鈍化層覆蓋所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源極和所述漏極，且所述鈍化層位于所述像素區；

像素電極，所述像素電極設置在所述鈍化層遠離所述柵極絕緣層的一面，并通過過孔與所述漏極電性連接。

6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板具有像素區以及位于所述像素區旁側的綁定區，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：

提供一襯底，所述襯底具有相對設置的第一面和第二面；

在所述第一面上形成第一導電層和薄膜晶體管，所述第一導電層位于所述綁定區，所述薄膜晶體管位于所述像素區；

在所述第一導電層遠離所述襯底的一面上形成導電材料層；

在所述導電材料層遠離所述第一導電層的一面形成非晶透明導電膜層；

在預設溫度下，對所述導電材料層進行退火處理，以形成第二導電層，其中，所述第二導電層的結晶溫度小于所述非晶透明導電膜層的結晶溫度。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述預設溫度介于120攝氏度至300攝氏度之間。

8.根據權利要求6所述陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成第一導電層和薄膜晶體管的步驟：

在所述第一面上形成柵極，所述柵極位于所述像素區；

在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的一面上形成有源層，且所述有源層位于所述像素區；

在所述有源層和所述柵極絕緣層遠離所述襯底的一面形成金屬材料層，并通過一次構圖工藝，形成所述第一導電層、源極和漏極。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一導電層遠離所述襯底的一面上形成導電材料層的步驟還包括：

在所述薄膜晶體管遠離所述襯底的一面形成所述導電材料層。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1至4任一項所述的陣列基板。