[發明專利]金屬圍壩的壓膜方法以及由此制得的金屬圍壩和陶瓷基板有效
| 申請號: | 202110337264.6 | 申請日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN113192846B | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 王軍;羅玉杰;于正國 | 申請(專利權)人: | 賽創電氣(銅陵)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/15;B32B37/06;B32B37/08;B32B37/10 |
| 代理公司: | 銅陵市嘉同知識產權代理事務所(普通合伙) 34186 | 代理人: | 吳晨亮 |
| 地址: | 244000 安徽省銅陵市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 方法 以及 由此 陶瓷 | ||
1.金屬圍壩的壓膜方法,其特征是:包括以下步驟:壓膜層數為六層,第一層膜雙面熱壓,第一層膜之外的膜分別進行單面冷壓,形成六層以上的干膜;所述單面冷壓的壓力≤1kg,最后一層膜的正面線路朝下,對所述最后一層膜進行雙面無干膜熱壓,所述雙面熱壓的工藝參數為:線速1.0m/min,溫度110℃,壓力4kg/cm2,所述單面冷壓的工藝參數為:線速1.0m/min,溫度0℃,壓力1kg/cm2,所述雙面無干膜熱壓的工藝參數為:線速1.0m/min,溫度110℃,壓力4kg/cm2。
2.金屬圍壩,其特征是:所述金屬圍壩由權利要求1所述的金屬圍壩的壓膜方法制備而成。
3.陶瓷基板,其特征是:所述陶瓷基板包括如權利要求2所述的金屬圍壩。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





