[發(fā)明專利]一種蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置及測(cè)試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110337035.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112730146B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李輝;申勝男;于凱;盛家正 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N5/04 | 分類號(hào): | G01N5/04;H05K3/06 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 楊宏偉 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 蝕刻 速率 測(cè)試 裝置 方法 | ||
1.一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:包括壓力表、噴嘴、三通、閥門、注射管和推進(jìn)機(jī)構(gòu),所述注射管前端為直徑縮小的變徑管,變徑管前端的出口與閥門一側(cè)相連,閥門另一側(cè)與三通的第一接口可拆卸相連,三通的第二接口與壓力表相連,三通的第三接口與噴嘴相連,所述噴嘴下方設(shè)有用于放置待刻蝕樣品的樣品臺(tái),所述注射管的活塞桿與推進(jìn)機(jī)構(gòu)相連,通過推進(jìn)機(jī)構(gòu)推動(dòng)活塞桿將注射管內(nèi)的液體注入到三通中,通過噴嘴噴淋在待刻蝕樣品上,所述壓力表用于測(cè)量噴嘴處的噴出壓力。
2.如權(quán)利要求1所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:所述樣品臺(tái)下方設(shè)有用于接蝕刻液的廢液槽。
3.如權(quán)利要求1所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:所述注射管采用透明的亞克力材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:所述壓力表通過彎頭豎直的安裝在三通的第二接口上。
5.如權(quán)利要求4所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:所述壓力表為PP隔膜壓力表,由隔膜隔離器與通用型壓力表組成。
6.如權(quán)利要求1所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,其特征在于:所述推進(jìn)機(jī)構(gòu)為絲杠螺母滑臺(tái)機(jī)構(gòu)。
7.一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率的測(cè)試方法,其特征在于:采用權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述一種PCB制備工藝中蝕刻液蝕刻速率測(cè)試裝置,測(cè)試方法包括如下步驟:
步驟1、選取待蝕刻樣品材料,對(duì)待蝕刻樣品先切割干燥,然后稱重,記錄蝕刻前質(zhì)量,將稱重后的蝕刻樣品放置在樣品臺(tái)上;
步驟2、根據(jù)待蝕刻樣品材料類型選擇蝕刻液,將蝕刻液吸入注射管后,關(guān)閉注射管出口的閥門,然后將閥門與三通相連,注射管后端的活塞桿與推進(jìn)機(jī)構(gòu)相連,設(shè)定蝕刻時(shí)間和推進(jìn)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)速度;
步驟3、啟動(dòng)推進(jìn)機(jī)構(gòu)推動(dòng)注射管的活塞桿,使得注射管內(nèi)的蝕刻液通過噴嘴噴淋在待蝕刻樣品上,達(dá)到蝕刻時(shí)間后停止推進(jìn)機(jī)構(gòu);
步驟4、蝕刻完畢后,對(duì)蝕刻樣品進(jìn)行清洗干燥后再次稱重,記錄蝕刻后的重量;
步驟5、采用失重法計(jì)算蝕刻速率,計(jì)算公式如下:
上式中,
8.如權(quán)利要求7所述的測(cè)試方法,其特征在于:步驟2中,連接好注射管后,調(diào)整蝕刻樣品與噴嘴之間距離。
9.如權(quán)利要求7所述的測(cè)試方法,其特征在于:步驟2中,推進(jìn)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)速度計(jì)算方式如下:
先根據(jù)噴嘴固有特性確定噴淋壓力和噴嘴流量對(duì)應(yīng)關(guān)系,根據(jù)所選定的噴淋壓力查找對(duì)應(yīng)的噴嘴流量,根據(jù)噴嘴流量計(jì)算注射管內(nèi)活塞的移動(dòng)速度,也即是推進(jìn)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)速度,計(jì)算公式如下:
其中,
10.如權(quán)利要求7所述的測(cè)試方法,其特征在于:步驟4中,稱重后,拆下注射管,更換不同類型或者濃度的蝕刻液再次按照步驟1至步驟4方法進(jìn)行蝕刻,并記錄蝕刻數(shù)據(jù),在所有蝕刻液都蝕刻完畢且記錄完蝕刻數(shù)據(jù)后,采用步驟5方法計(jì)算蝕刻速率,判斷蝕刻液對(duì)蝕刻速率的影響,選擇最佳工藝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢大學(xué),未經(jīng)武漢大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110337035.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 測(cè)試裝置及測(cè)試系統(tǒng)
- 測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)
- 一種數(shù)控切削指令運(yùn)行軟件測(cè)試系統(tǒng)及方法





