[發明專利]一種藍光鈣鈦礦薄膜及其制備、倒裝準二維藍光鈣鈦礦發光二極管有效
| 申請號: | 202110336876.3 | 申請日: | 2021-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN113130802B | 公開(公告)日: | 2022-10-25 |
| 發明(設計)人: | 王堅;張斌斌;麥超晃;李妙姿;李海華 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 陳智英 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 藍光鈣鈦礦 薄膜 及其 制備 倒裝 二維 發光二極管 | ||
1.一種藍光鈣鈦礦薄膜在藍光鈣鈦礦發光二極管中的應用,其特征在于:所述藍光鈣鈦礦薄膜用作發光層;
所述藍光鈣鈦礦發光二極管為倒裝結構;
所述藍光鈣鈦礦薄膜設置于藍光鈣鈦礦發光二極管的界面層上;
所述藍光鈣鈦礦薄膜的制備方法,包括以下步驟:
1)采用有機溶劑將溴化鉛、大基團有機鹵化物和溴化銫配成鈣鈦礦前驅體溶液;所述大基團有機鹵化物為對氟苯乙胺溴;
2)將前驅體溶液進行旋涂,并在旋涂過程中滴加反溶劑,除去溶劑后,得到藍光鈣鈦礦薄膜;
步驟1)中所述鈣鈦礦前驅體溶液中,溴化鉛的濃度為0.1-0.2 mmol/mL、溴化銫的濃度為0.05-0.1 mmol/mL,大基團有機鹵化物和溴化銫的摩爾比為(2-4):1;
步驟2)中所述反溶劑為銫鉛鹵化物鈣鈦礦的不良溶劑;
步驟2)中所述反溶劑在鈣鈦礦前驅體溶液開始結晶時加入,通過紫外照射剛出現藍光加入反溶劑;
步驟1)中所述有機溶劑為二甲基亞砜、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁內酯中一種以上;
步驟2)中所述反溶劑為苯、氯苯、甲苯、環己烷、乙酸乙酯、氯仿中一種以上;
步驟2)中所述旋涂的轉速為2000-5000 rpm;
所述藍光鈣鈦礦薄膜的厚度為15-100 nm;
步驟2)中前驅體溶液旋涂在界面層上。
2.一種倒裝準二維藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:為倒裝結構,從下到上依次包括陰極、電子傳輸層、界面層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層、陽極;所述發光層為權利要求1所述的藍光鈣鈦礦薄膜。
3.根據權利要求2所述倒裝準二維藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述界面層為聚乙烯亞胺、聚乙氧基乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚環氧乙烷、聚乙二醇、修飾的聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮中一種以上所形成的膜層,界面層的厚度為1-8 nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





