[發明專利]一種鎂合金上的ZrO2 有效
| 申請號： | 202110336594.3 | 申請日： | 2021-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN113089053B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 陳永楠;張震;王楠;楊澤慧;錢偉峰;徐義庫;趙秦陽;陳宏;郝建民;孫志平 | 申請（專利權）人： | 長安大學 |
| 主分類號： | C25D11/30 | 分類號： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710000 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鎂合金 zro base sub | ||
1.一種在鎂合金上原位生成ZrO2/MgO耐磨膜層的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在每1L水中添加1-4 g氟鋯酸鉀、2g氟化氫銨、4g磷酸二氫鈉和2.5g氫氧化鉀，得到鋯鹽電解液；
（2）將鎂合金和不銹鋼板置于所述鋯鹽電解液中，鎂合金作為陽極，不銹鋼板作為陰極，進行微弧氧化；
步驟（2）中，微弧氧化的工藝為：
將電壓升至180-450 V，在臨近熄弧狀態加壓5-10V，起弧后反應時間共持續10-25min，之后將電壓降到零，關閉電源；
在微弧放電提供的瞬間高溫，MgO進入t-ZrO2體形成固溶體，穩定t-ZrO2不發生晶型轉變；當MgO在ZrO2中固溶飽和后，多余的MgO以獨立的晶相出現，鋯鹽電解液與放電區之間的溫度差使放電區的MgO、ZrO2及固溶體的熔體快速冷卻形成ZrO2/MgO膜層；
（3）微弧氧化完成后，將鎂合金在冷卻液中進行快冷，冷卻結束后在鎂合金上原位生成ZrO2/MgO耐磨膜層；
步驟（3）中所述冷卻液溫度低于10℃。
2.根據權利要求1所述的在鎂合金上原位生成ZrO2/MgO耐磨膜層的方法，其特征在于，步驟（2）中，鎂合金為AZ91或AZ31。
3.根據權利要求1所述的在鎂合金上原位生成ZrO2/MgO耐磨膜層的方法，其特征在于，步驟（1）中的氟鋯酸鉀替換為碳酸鋯。
4.一種鎂合金的ZrO2/MgO耐磨膜層，其特征在于，根據權利要求1-3任一項所述的制備方法制備得到，耐磨膜層中分布有微孔結構；
耐磨膜層中ZrO2由t-ZrO2、c-ZrO2和m-ZrO2組成；
耐磨膜層由ZrO2、MgO和MgO固溶在ZrO2內的固溶物組成。
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