[發(fā)明專利]振蕩器及電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110336289.4
• 申請(qǐng)日: 2021-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN112953451A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董祖奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H03H9/19
• 分類號(hào): H03H9/19
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種振蕩器，其特征在于，包括交叉耦合對(duì)管、連接在所述交叉耦合對(duì)管與電源電壓端之間的多個(gè)分支電路、連接在所述交叉耦合對(duì)管與地端之間的多個(gè)尾電流源以及連接所述交叉耦合對(duì)管的諧振電容；每個(gè)所述分支電路包括與所述交叉耦合對(duì)管串聯(lián)的可變電阻；各個(gè)所述尾電流源受控于同一恒定電壓信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述交叉耦合對(duì)管包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的漏端連接所述第二晶體管的柵端以及相應(yīng)的一個(gè)所述分支電路，所述第一晶體管的柵端連接所述第二晶體管的漏端以及相應(yīng)的另一個(gè)所述分支電路，所述第一晶體管的源端連接一個(gè)所述尾電流源以及所述諧振電容的一端，所述第二晶體管的源端連接另一個(gè)所述尾電流源以及所述諧振電容的另一端。

3.如權(quán)利要求2所述的振蕩器，其特征在于，每個(gè)所述分支電路還包括負(fù)載晶體管，所述負(fù)載晶體管的柵端和漏端連接；所述負(fù)載晶體管連接在所述電源電壓端和所述可變電阻之間或者連接在所述可變電阻和所述交叉耦合對(duì)管之間。

4.如權(quán)利要求3所述的振蕩器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管均為NMOS晶體管，所述負(fù)載晶體管為NMOS晶體管或者PMOS晶體管。

5.如權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，每個(gè)所述尾電流源包括尾電流晶體管，所述尾電流晶體管連接在所述交叉耦合對(duì)管和所述地端之間，且所述尾電流晶體管的柵端接入所述恒定電壓信號(hào)。

6.如權(quán)利要求5所述的振蕩器，其特征在于，所述尾電流晶體管為NMOS晶體管或PMOS晶體管。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的振蕩器，其特征在于，所述振蕩器的振蕩頻率隨著所述可變電阻的阻值的變化而變化。

8.一種電子裝置，其特征在于，包括至少一個(gè)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的振蕩器。

9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于，還包括連接所述振蕩器的運(yùn)算放大器以及連接所述運(yùn)算放大器的分頻電路。

10.如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于，所述電子裝置具有數(shù)字系統(tǒng)或者模擬系統(tǒng)，所述振蕩器為所述數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)鐘信號(hào)源或者為所述模擬系統(tǒng)中的本振信號(hào)源。