[發(fā)明專(zhuān)利]對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法、調(diào)整方法、測(cè)試系統(tǒng)和存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110336244.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113093482B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 駱曉東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F9/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F9/00
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有間隔設(shè)置的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的排列方向?yàn)榈谝环较颍?/p>

獲取第一距離，所述第一距離為所述第一導(dǎo)電層在垂直于所述第一方向上的中心軸線(xiàn)與所述第二導(dǎo)電層在垂直于所述第一方向上的中心軸線(xiàn)的距離；

獲取所述第一導(dǎo)電層的第一電阻和所述第二導(dǎo)電層的第二電阻；

根據(jù)所述第一距離、所述第一電阻和所述第二電阻，獲取所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的實(shí)際間距；

通過(guò)所述實(shí)際間距以及所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的標(biāo)準(zhǔn)間距，獲取所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的對(duì)準(zhǔn)誤差值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，獲取所述第一電阻和所述第二電阻后，還包括：通過(guò)所述第一電阻獲取所述第一導(dǎo)電層在所述第一方向上的第一寬度；通過(guò)所述第二電阻獲取所述第二導(dǎo)電層在所述第一方向上的第二寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的所述實(shí)際間距的獲取方法包括：通過(guò)所述第一距離、所述第一寬度和所述第二寬度，獲取所述實(shí)際間距，且所述實(shí)際間距、所述第一距離、所述第一寬度和所述第二寬度滿(mǎn)足：x＝d-1/2(a+r)，其中，x為所述實(shí)際間距，a為所述第一寬度，r為所述第二寬度，d為所述第一距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，獲取所述第一寬度的方法包括：所述第一電阻與所述第一寬度具有第一對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過(guò)所述第一電阻和所述第一對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算所述第一寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為柵極結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，獲取所述第二寬度的方法包括：所述第二電阻與所述第二寬度具有第二對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過(guò)所述第二電阻和所述第二對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算所述第二寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層為導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層在所述第一方向上的剖面形狀為圓形，且所述第二對(duì)應(yīng)關(guān)系為：R₂＝4ρ₂L₂/(πr²)，其中，R₂為所述第二電阻，ρ₂為所述第二導(dǎo)電層的電阻率，L₂為所述第二導(dǎo)電層在垂直于所述第一方向上的高度，r為所述第二寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層在所述第一方向的剖面形狀為正方形，且所述第二對(duì)應(yīng)關(guān)系為：R₂＝ρ₂L₂/r²，其中，R₂為所述第二電阻，ρ₂為所述第二導(dǎo)電層的電阻率，L₂為所述第二導(dǎo)電層在垂直于所述第一方向上的高度，r為所述第二寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，通過(guò)掃描電子顯微鏡獲取所述第一距離。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述基底上具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；在獲取所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的所述對(duì)準(zhǔn)誤差值之前，還包括：

獲取所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在不同制程中的偏移值。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對(duì)準(zhǔn)誤差的測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層具有對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過(guò)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記確定與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層。