[發明專利]一種陣列基板和顯示面板

在審

• 申請號: 202110336074.2
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113192934A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 張旭陽;李俊峰;陳發祥;劉雪
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L27/12;G09F9/33;G09F9/35
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管層；

緩沖層，設置于所述襯底基板與所述薄膜晶體管層之間；

遮光層，設置于所述緩沖層與襯底基板之間；所述遮光層能夠使得從所述薄膜晶體管向所述襯底基板方向的光反射率不大于37％，并使得從所述襯底基板向所述薄膜晶體管方向的光透過率不大于0.45％。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層能夠使得從所述薄膜晶體管向所述襯底基板方向的白光波段的光反射率不大于37％，并使得從所述襯底基板向所述薄膜晶體管方向的白光波段的光透過率不大于0.002％；或

所述遮光層能夠使得從所述薄膜晶體管向所述襯底基板方向的自然光波段的光反射率不大于1.5％，并使得從所述襯底基板向所述薄膜晶體管方向的自然光波段的光透過率不大于0.45％。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層包括層疊設置的第一子遮光層、第二子遮光層和第三子遮光層；

其中，所述第二子遮光層位于所述第一子遮光層和所述第三子遮光層之間，所述第二子遮光層的材料包括非晶硅層。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二子遮光層的厚度范圍為55-131nm；

優選的，所述第二子遮光層的厚度為90±10nm；

優選的，所述第二子遮光層的厚度為(65+N*60)±10nm，N為0或1。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一子遮光層位于所述第二子遮光層與所述薄膜晶體管層之間，所述第一子遮光層的材料包括氧化硅；

所述第三子遮光層位于所述第二子遮光層與所述襯底基板之間，所述第三子遮光層的材料包括氧化硅。

6.根據權利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子遮光層的厚度范圍為5-1100nm；所述第三子遮光層的厚度范圍為30-1100nm；

優選的，所述第一子遮光層的厚度為(35+N*150)±30nm，N為0-6的正整數；所述第三子遮光層的厚度為(60+N*160)±30nm，N為0-6正整數；

優選的，所述第一子遮光層的厚度為(180+N*200)±30nm，N為0-4正整數；所述第三子遮光層的厚度為(100+N*180)±30nm，N為0-5正整數。

7.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層還包括：

第四子遮光層，設置于所述第三子遮光層與所述襯底基板之間，所述第四子遮光層包括氧化硅層；

優選的，所述第四子遮光層包括層疊設置的氧化硅層和非晶硅層，其中所述氧化硅層位于所述非晶硅層與所述襯底基板之間。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第四子遮光層中氧化硅層厚度范圍為40-1100nm；

優選的，所述第四子遮光層中的氧化硅層厚度為(70+N*160)±30nm，N為0-6的正整數；

優選的，所述第四子遮光層中的氧化硅層厚度為(130+N*185)±30nm，N為0-5的正整數。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層包括層疊設置的至少兩層含硅材料；

優選的，所述緩沖層包括層疊設置的氧化硅材料和氮化硅材料。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括：

發光器件；

如權利要求1-9任一項所述的陣列基板，所述陣列基板用于驅動所述發光器件發光。