[發(fā)明專利]掩膜結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110336053.0
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113097141A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宛強(qiáng);夏軍;徐朋輝;劉濤;李森;占康澍
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

形成由下至上依次疊置的第一介質(zhì)層、犧牲層及第二介質(zhì)層；

圖形化所述犧牲層及所述第二介質(zhì)層，以形成包括由下至上依次層疊的第一圖形及第二圖形的圖形結(jié)構(gòu)，所述第一圖形下部的寬度小于所述第一圖形上部的寬度；

于所述圖形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成初始掩膜圖形；

于位于不同圖形結(jié)構(gòu)側(cè)壁的相鄰所述初始掩膜圖形之間填充第一填充層；

去除所述第二圖形及位于所述第二圖形側(cè)壁的所述初始掩膜圖形；

去除所述第一填充層、所述第一圖形，以于所述第一介質(zhì)層的上表面形成第一掩膜圖形，所述第一掩膜圖形沿第一方向延伸；

于所述第一掩膜圖形上形成第二掩膜圖形，所述第二掩膜圖形沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向相交。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述于所述圖形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成初始掩膜圖形，包括：

于所述圖形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁、所述圖形結(jié)構(gòu)的上表面及所述第一介質(zhì)層的上表面形成初始掩膜材料層；

去除位于所述第一介質(zhì)層的上表面及所述圖形結(jié)構(gòu)的上表面的初始掩膜材料層，保留于所述圖形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的所述初始掩膜材料層即為所述初始掩膜圖形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述于位于不同圖形結(jié)構(gòu)側(cè)壁的相鄰所述初始掩膜圖形之間填充第一填充層，包括：

形成第一填充材料層，所述第一填充材料層填滿位于不同圖形結(jié)構(gòu)側(cè)壁的相鄰所述初始掩膜圖形之間的間隙，并覆蓋所述圖形結(jié)構(gòu)及所述初始掩膜圖形，所述第一填充材料層的上表面高于所述圖形結(jié)構(gòu)的上表面；

去除位于所述圖形結(jié)構(gòu)的上表面及所述初始掩膜圖形的上表面的所述第一填充材料層，以暴露出所述第二圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述形成第一掩膜圖形之后，且形成第二掩膜圖形的步驟之前，還包括：

形成第二填充層，所述第二填充層填滿相鄰所述第一掩膜圖形之間的間隙，并覆蓋所述第一掩膜圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第二填充層的上表面高于所述第一掩膜圖形的上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述形成第二填充層之后，且形成第二掩膜圖形的步驟之前，還包括：

于所述第二填充層的上表面形成第三介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第一填充層的上表面低于所述圖形結(jié)構(gòu)的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝去除所述第二圖形，刻蝕過程中，所述第二圖形與所述初始掩膜圖形的刻蝕選擇比大于1。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，刻蝕過程中，所述第一填充層與所述第二圖形的刻蝕選擇比大于1。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述于所述第一掩膜圖形上形成第二掩膜圖形之后還包括：

基于所述第一掩膜圖形和所述第二掩膜圖形圖形化所述第一介質(zhì)層，以得到目標(biāo)掩膜圖形。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述基于所述第一掩膜圖形和所述第二掩膜圖形圖形化所述第一介質(zhì)層，以得到目標(biāo)掩膜圖形包括：

基于所述第二掩膜圖形去除暴露出的所述第三介質(zhì)層；

基于所述第二掩膜圖形及所述第一掩膜圖形刻蝕所述第二填充層；

基于所述第二掩膜圖形及所述第一掩膜圖形刻蝕所述第一介質(zhì)層；

去除所述第一掩膜圖形、所述第二掩膜圖形、保留的所述第三介質(zhì)層及保留的所述第二填充層，以得到所述目標(biāo)掩膜圖形。