[發明專利]智能功率模塊和智能功率模塊的制備方法在審
| 申請號: | 202110334391.0 | 申請日: | 2021-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN112968026A | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 王敏;左安超;謝榮才 | 申請(專利權)人: | 廣東匯芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳市辰為知識產權代理事務所(普通合伙) 44719 | 代理人: | 唐文波 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 功率 模塊 制備 方法 | ||
1.一種智能功率模塊,其特征在于,包括:
電路基板,所述電路基板的第一側面上設有絕緣層;
電路布線層,所述電路布線層設在所述絕緣層上;
電路元件,配置于所述電路布線層;
多個引腳,多個所述引腳的第一端分別與所述電路布線層電性連接;
密封本體,所述密封本體至少包裹設置所述電路元件的電路基板的一表面,各所述引腳的第二端從所述密封本體露出;
其中,所述電路布線層上設有第一等離子層;所述第一等離子層為通過等離子清洗設備對所述電路布線層的表面進行清洗得到。
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,所述電路基板的與第一側面相對的第二側面上設有第二等離子層;所述第二等離子層為通過所述等離子清洗設備對所述電路基板的第二側面進行清洗得到。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊,其特征在于,所述電路基板的第三側面上設有第三等離子層;所述第三等離子層為通過所述等離子清洗設備對所述電路基板的第三側面進行清洗得到;
所述電路基板的與第三側面相對的第四側面上設有第四等離子層;所述第四等離子層為通過等離子清洗設備對所述電路基板的第四側面進行清洗得到。
4.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,所述電路基板的第一側面還設置有與所述電路基板形成電連接的凸臺,在所述電路布線層設置有與所述凸臺電連接的特定地電位部,所述凸臺與所述特定地電位部靠近設置;所述密封本體對應所述凸臺和所述特定地電位部處還分別設置有細孔,以使得所述凸臺和所述特定地電位部從所述細孔朝外露出。
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊,其特征在于,還包括金屬連接器,所述金屬連接器包括兩端朝同一側彎折以形成兩個彎折腳,以及連接所述彎折腳的連接本體,所述兩個彎折腳的腳徑大小與所述兩個細孔的大小適配,所述金屬連接器的兩個彎折腳伸入所述兩個細孔內以分別與所述凸臺和所述特定地電位部電連接,所述連接本體安裝于所述密封本體表面。
6.根據權利要求5所述的智能功率模塊,其特征在于,所述密封本體在所述兩個細孔之間還開設有凹槽,所述連接本體的寬度大小與所述凹槽的寬度大小適配,所述連接本體安裝于所述凹槽內;所述兩個細孔和所述凹槽安裝所述金屬連接器的剩下空間設置有封孔膠。
7.一種根據權利要求1至6任意一項所述的智能功率模塊的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一電路基板;
在所述電路基板的第一側面上制備絕緣層;
在所述絕緣層上形成電路布線層;
通過等離子清洗設備對所述電路布線層的表面進行等離子清洗,形成第一等離子層;
在所述電路布線層的相應位置配設電路元件和多個引腳,且多個所述引腳的第一端分別通過金屬線與所述電路布線層連接;其中所述密封本體包覆所述電路基板的至少設置電路元件的一面;
對設置有所述第一等離子層、所述電路元件、多個所述引腳的所述電路基板通過封裝模具進行注塑以形成密封本體,其中所述密封本體包覆所述電路基板的至少設置電路元件的一面,且各所述引腳的第二端從所述密封本體表面露出。
8.一種根據權利要求7所述的智能功率模塊的制備方法,其特征在于,在對設置有所述電路元件和多個所述引腳的所述電路基板通過封裝模具進行注塑以形成密封本體之前,所述制備方法還包括:
通過所述等離子清洗設備對所述電路布線層的表面進行二次等離子清洗,形成所述第一等離子層;通過所述等離子清洗設備對所述電路基板的與第一側面相對的第二側面進行等離子清洗,形成第二等離子層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東匯芯半導體有限公司,未經廣東匯芯半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110334391.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





